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-30a -100V P-Kanal-Verbesserung des Verbesserungsmodus MOSFET DH100P30CD bis-252B

-30a -100V P -Kanalverbesserungsmodus Stromverfügbarkeit
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-30a -100V P -Kanal -Verbesserungsmodus Power MOSFET


1 Beschreibung

Diese P-Kanal-Verbesserungsmodus-MOSFETs verwendeten fortschrittliche Gräbertechnologiedesign und bildeten eine hervorragende RDSON- und niedrige Gate-Ladung. Das entspricht dem ROHS -Standard. 


2 Merkmale 

● Niedrig des Widerstands 

● Ladung mit niedriger Gate 

● schnelles Umschalten 

● Niedrige Umkehrtransferkapazität 

● 100% Einzelpuls -Avalanche -Energietest 

● 100% ΔVDS -Test 


3 Anwendungen 

● Stromschaltanwendungen 

● Inverter -Management -System

● Elektrowerkzeuge 

● Alarm


VDSS RDS (ON) (Typ) AUSWEIS 
-100V 47m Ω -30a



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