丨
Zaangażowany w bycie liderem w
MOC
PÓŁPRZEWODNIKI
Zobacz więcej
baner2
ZOBOWIĄZANE 
ZOSTAĆ LIDEREM W 
PÓŁPRZEWODNIKI MOCY
Przedsiębiorstwo Gazela
Zobacz więcej
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
0 +
㎡

Powierzchnia podłogi

0 +
milion

Kapitał zakładowy

0 +
milion

Wydajność linii produkcyjnej

0 +
%

Autentyczność produktu

1

O firmie

Firma Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd. została założona w grudniu 2004 roku, z siedzibą pod adresem 88, Zhongtong East Road, Shuofang, dystrykt Xinwu, miasto Wuxi, prowincja Jiangsu.Zajmuje powierzchnię 15000m2.Kapitał zakładowy wynosi 81,5 miliona juanów.Posiada roczną linię produkcyjną 500 milionów urządzeń zasilających.Istnieją cztery laboratoria zajmujące się testem charakterystyki urządzenia, testem niezawodności, testem aplikacji i analizą awarii.Donghai to zaawansowane technologicznie przedsiębiorstwo zajmujące się opracowywaniem, projektowaniem, pakowaniem, testowaniem i sprzedażą półprzewodnikowych urządzeń zasilających i układów scalonych.

Centrum Produktu

Głównymi produktami są: MOSFET, IGBT, dioda itp. Jest szeroko stosowany w różnych produktach elektroniki użytkowej, produktach elektroniki przemysłowej, nowej energii, inteligentnej elektronice samochodowej, 5G i innych dziedzinach.
MOSFET
DIODA
IGBT
MODUŁ
Nasza przewaga
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Profesjonalna technologia
  • Wysoka produktywność
  • Zaawansowany sprzęt
  • Badania innowacji
  • Dobra obsługa posprzedażna

gorące produkty

DH030N03
DH030N03
W tych mosfetach mocy w trybie wzmocnienia kanału N wykorzystano zaawansowaną technologię wykopową, zapewniając doskonały współczynnik Rdson i niski ładunek bramki.Co jest zgodne ze standardem RoHS.
0
0
F7N80
F7N80
Te ulepszone kanały vdmosfety są uzyskiwane dzięki samonastawnej technologii planarnej, która zmniejsza straty przewodzenia, poprawia wydajność przełączania i zwiększa energię lawiny.Co jest zgodne ze standardem RoHS.TO-220F zapewnia napięcie izolacji o wartości 2000 V RMS od wszystkich trzech zacisków do zewnętrznego radiatora.Seria TO-220F jest zgodna ze standardami UL.
0
0
DH100P20D
DH100P20D
Te ulepszone tranzystory VDMOSFET z kanałem P, wykorzystujące zaawansowaną technologię i konstrukcję rowów, zapewniają doskonały współczynnik Rdson przy niskim ładunku bramki.Co jest zgodne ze standardem RoHS.
0
0
G40N120D
G40N120D
Tranzystory IGBT typu ROUM Field Stop Trench oferują niskie straty przełączania, wysoką efektywność energetyczną i odporność na zwarcia.
Jest przeznaczony do zastosowań takich jak sterowanie silnikami, zasilacze bezprzerwowe (UPS), ogólne falowniki.
0
0
G50T65D
G50T65D
Wykorzystując zastrzeżoną konstrukcję Trench firmy DongHai i zaawansowaną technologię FS, 650 V FS IGBT oferuje doskonałą wydajność przełączania, wysoką odporność lawinową, łatwą pracę równoległą
0
0
MBRF20100CT
MBRF20100CT
Prostownik Schottky'ego z podwójną zakładką, odpowiedni do serwerów wysokiej częstotliwości i telekomunikacyjnych stacji bazowych SMPS.Pakowane w TO Wewnątrz opakowania, to urządzenie łączy w sobie wysoki prąd znamionowy i małą głośność, aby zwiększyć zarówno niezawodność, jak i gęstość mocy aplikacji.TO-220F zapewnia napięcie izolacji o wartości 2000 V RMS od wszystkich trzech zacisków do zewnętrznego radiatora.
0
0
MUR6030NCA
MUR6030NCA
Ultraszybkie diody 60 A, 300 V Charakteryzują się niskim spadkiem napięcia przewodzenia i mają płaską, pasywowaną azotkiem krzemu, implantowaną jonowo, epitaksjalną konstrukcję.Urządzenia te są przeznaczone do stosowania jako diody sterujące/zaciskowe energii i prostowniki w różnych zasilaczach impulsowych i innych zastosowaniach związanych z przełączaniem mocy.Ich niski poziom naładowania i ultraszybkie odzyskiwanie z charakterystyką miękkiego odzyskiwania minimalizują dzwonienie i szumy elektryczne w wielu obwodach przełączających moc, zmniejszając w ten sposób straty mocy w tranzystorze przełączającym
0
0
MBR30R45CTS
MBR30R45CTS
Prostownik Schottky'ego z podwójną zakładką, odpowiedni do serwerów wysokiej częstotliwości i telekomunikacyjnych stacji bazowych SMPS.Pakowane w TO Wewnątrz opakowania, to urządzenie łączy w sobie wysoki prąd znamionowy i małą głośność, aby zwiększyć zarówno niezawodność, jak i gęstość mocy aplikacji.TO-220F zapewnia napięcie izolacji o wartości 2000 V RMS od wszystkich trzech zacisków do zewnętrznego radiatora.
0
0
DGC40C120M2T
DGC40C120M2T
W tych tranzystorach bipolarnych z izolowaną bramką zastosowano zaawansowaną technologię wykopów i technologię Fieldstop, zapewniając doskonałą prędkość VCEsat i przełączania oraz niski ładunek bramki.Co jest zgodne ze standardem RoHS.
0
0
DCC040M120A2
DCC040M120A2
Ta rodzina produktów oferuje najnowocześniejszą wydajność.Jest przeznaczony do zastosowań o wysokiej częstotliwości, gdzie wymagana jest wysoka wydajność i niezawodność.
0
0
  • MOC WIATRU
  • Stos ładowania
  • Elektronika samochodowa
  • Elektronika Przemysłowa

Centrum Wiadomości

→
11_1365_905.jpg
→
2019黄山宏村两天游.jpg
→
2021年第四届春节跑步.jpg
  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Zapisz się na nasz newsletter
  • przygotuj się na przyszłość
    zapisz się do naszego newslettera, aby otrzymywać aktualizacje prosto na swoją skrzynkę odbiorczą
    Subskrybuj
Prawa autorskie © 2023​​​​​​​ Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd Technologia firmy leadong.com