未命名(1)(8) (1)
brama
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Jesteś tutaj: Dom » Produkty » IGBT » 1200 V-1700 V » G40N120D

załadunek

Udostępnij:
przycisk udostępniania na Facebooku
przycisk udostępniania na Twitterze
przycisk udostępniania linii
przycisk udostępniania wechata
przycisk udostępniania na LinkedIn
przycisk udostępniania na Pintereście
przycisk udostępniania WhatsApp
udostępnij ten przycisk udostępniania

G40N120D

Tranzystory IGBT typu ROUM Field Stop Trench oferują niskie straty przełączania, wysoką efektywność energetyczną i odporność na zwarcia.
Jest przeznaczony do zastosowań takich jak sterowanie silnikami, zasilacze bezprzerwowe (UPS), ogólne falowniki.
Dostępność:
Ilość:
Pytać się Dodaj do koszyka

Opis ogólny :

Tranzystory IGBT typu ROUM Field Stop Trench oferują niskie straty przełączania, wysoką efektywność energetyczną i odporność na zwarcia.

Jest przeznaczony do zastosowań takich jak sterowanie silnikami, zasilacze bezprzerwowe (UPS), ogólne falowniki.

Cechy :

● Szybkie przełączanie

● Wysoka wytrzymałość, stabilność temperaturowa

● Czasy wytrzymywania zwarć ⋎10us

● Niezwykle zwiększone możliwości lawinowe

Typ VCES Ic Ptot (TC=25℃) VCE (SAT)
G40N120D 1200 V 40A 357 W 1,9 V


Poprzedni: 
Następny: 
G40N120D
  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Zapisz się na nasz newsletter
  • przygotuj się na przyszłość
    zapisz się do naszego newslettera, aby otrzymywać aktualizacje prosto na swoją skrzynkę odbiorczą
    Składać
Prawa autorskie © 2023​​​​​​​ Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd Technologia firmy leadong.com