未命名 (1) (8) (1)
brama
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Jesteś tutaj: Dom » Produkty » Mosfet



Model:
Pakiet:
V:
A:
Wybrane linie produktów:

Mosfet

obrazu modelu Pakiet V A arkusza szczegółowe informacje na temat danych Dodaj do kosza
33A 60 V Tryb wzmocnienia kanału N MOSFET DH240N06LD TO-252B DH240N06LD TO-252B 60 V. 33a Urządzenie DH240N06L Specyfikacja Rev.2.0.pdf
12A 60 V Tryb wzmocnienia kanału N MOSFET D12N06 TO-252 D12N06 TO-252B 60 V. 12a Device D12N06 Specyfikacja (TO-252B) .pdf
170A 40V NEC CANLECTEM MOC MOSFET DHS020N04P DFN5*6 DHS020N04P DFN5*6-8 40v 170a Urządzenie DHS020N04P Specyfikacja Rev.2.0.pdf
15A 40 V Tryb wzmocnienia kanału P MOSFET AOD413 TO-252B AOD413 TO-252B -40 V. -30a AOD413 i AOB413-B2E_DATASHEET_V1.0.PDF
80A 40 V Tryb wzmacniający N-Kananela MOSFET DH045N04P Pakiet DFN5X6 DH045N04P DFN5x6 40v 80a Urządzenie DH045N04P Specyfikacja (1) .pdf
MOSFET D2N65 TO-252B 2A 650 V D2N65 TO-252B 650 V. 2a 英文版 D2N65 技术规格书 .pdf
175A 80 V Tryb wzmacniający N-Kannel Moc MOSFET DHS035N88 TO-220C DHS035N88 To-220C 80v 175a DHS035N88 i DHS035N88E i DHS035N88I_DATASHEET_V2.0.PDF
240A 85 V Tryb wzmacniający N-Kannel Moc MOSFET DHS020N88U Pakiet opłat DHS020N88U MYTO 85 V. 285a DHS020N88U_DATASHEET_V2.0.PDF
Tryb wzmocnienia kanału N 80A 80V MOSFET DHD80N08 do 252b DHD80N08 TO-252B 80v 90a Urządzenie DHD80N08 Specyfikacja.pdf
96A 30 V Tryb wzmocnienia kanału N MOSFET DH030N03P DFN5X6 DH030N03P DFN5X6-8L 30 V. 96a Urządzenie DH030N03P Specyfikacja. PDF
60A 100 V Tryb wzmacniający N-Kannel Moc MOSFET DH0159 TO-220C DH0159 To-220C 100 V. 59a Urządzenie DH0159B76 Specyfikacja (1) .pdf
300A 40 V Tryb wzmacniający N-Kannel Moc MOSFET DHS010N04U Pakiet opłat DHS010N04U MYTO 40v 300A DHS010N04U_DATASHEET_V1.0.PDF
180A 85 V Tryb wzmacniający N-Kannel Moc MOSFET DHS020N88 TO-220C DHS020N88 To-220C 85 V. 180a DHS020N88 i DHS020N88E i DHS020N88I_DATASHEET_V2.0.PDF
60A 68V Tryb wzmocnienia N-Kananela MOSFET DH60N06/DHF60N06/DHE60N06/DHB60N06/DHD60N06 DH60N06 To-220C 60 V. 60a Urządzenie DH60N06 Specyfikacja+.pdf
17A 650V N-kanał Super Junction Power MOSFET DHSJ17N65 TO-220C DHSJ17N65 To-220C 650 V. 17a Urządzenie DHSJ17N65 Specyfikacja.pdf
18A 100 V Tryb wzmocnienia kanału P MOSFET DH100P18D TO-252B DH100P18D TO-252B 100 V. 18a Urządzenie DH100P18 B79 Specyfikacja.pdf
Tryb wzmocnienia kanału N MOSFET 180A 100V DHS025N10U TOLL DHS025N10U MYTO 100 V. 180a Urządzenie+DHS025N10U+Specyfikacja+v2.0.pdf
-50a -60 V Tryb wzmocnienia kanału P MOSFET DH300P06L TO-220C DH300P06L To-220C -60 V. -50a Urządzenie+DH300P06L+Specyfikacja+Rev.2.0.pdf
Tryb wzmocnienia kanału P MOSFET 30A 100V DH100P30AD TO-252B DH100P30AD TO-252B 100 V. 30a Urządzenie DH100P30AD Specyfikacja PDF
20A 650 V Tryb wzmacniający N-Kannel Moc MOSFET F20N65 TO-220F F20N65

Wideo produktu



  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Zarejestruj się w naszym biuletynie
  • Przygotuj się do przyszłego
    zapisania się na nasz biuletyn, aby uzyskać aktualizacje bezpośrednio do skrzynki odbiorczej
    Składać
Copyright © 2023Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd Technology by Leadong.com