未命名(1)(8) (1)
brama
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Jesteś tutaj: Dom » Produkty » MOSFET



Model:
Pakiet:
V:
A:
WYBRANE LINIE PRODUKTOWE:

MOSFET

Obraz Model Pakiet V A Karta katalogowa Szczegóły Zapytanie Dodaj do koszyka
250A 40V N-kanałowy tryb wzmocnienia Moc MOSFET DH019N04 TO-220C DH019N04 TO-220C 40 V 250A Specyfikacja urządzenia DH019N04.pdf
238A 60V N-kanałowy tryb wzmocnienia Moc MOSFET DH026N06 TO-220C DH026N06 TO-220C 60 V 238A Specyfikacja urządzenia DH026N06.pdf
40 V/4,5 mΩ/40 A N-MOSFET DSR070N04LA DSR070N04LA
120A 40V N-kanałowy tryb wzmocnienia Moc MOSFET DTG045N04NA TO-220C DTG045N04NA TO-220C 40 V 120A Urządzenie+DTG045N04NA i DTE043N04NA+Specyfikacja+Rev.1.0.pdf
120A 40V N-kanałowy tryb wzmocnienia Moc MOSFET DTE043N04NA TO-263 DTE043N04NA TO-263 40 V 120A Urządzenie+DTG045N04NA i DTE043N04NA+Specyfikacja+Rev.1.0.pdf
81A 80V N-kanałowy tryb wzmocnienia Moc MOSFET DH060N08 TO-220C DH060N08 TO-220C 80 V 81A Specyfikacja urządzenia DH060N08.pdf
MOSFET mocy w trybie N-kanałowym 18N20/F18N20/I18N20/E18N20/B18N20/D18N20
68V/7,2mΩ/80A N-MOSFET DTD080N07N TO-252B DTD080N07N TO-252B 68 V 80A Donghai_DTD080N07N_Datasheet_V1.0.pdf
120A 85V N-kanałowy tryb wzmocnienia Moc MOSFET DHS045N85 TO-220C DHS045N85 TO-220C 85 V 120A Specyfikacja urządzenia DHS045N85-Rev.2.0.pdf
Tryb wzmocnienia kanału P Moc MOSFET 30A 100V DH100P28D TO-252B DH100P28D TO-252B -100 V -30A Specyfikacja urządzenia DH100P28.pdf
DHS051N10P DFN5X6 DHS051N10P DFN5X6 100 V 108A Specyfikacja urządzenia DHS051N10P(2).pdf
100V/8mΩ/68A N-MOSFET DSD090N10L3A TO-252B DSD090N10L3A TO-252B 100 V 68A Donghai_DSD090N10L3A_Datasheet_V1.0.pdf
-6A -100V Tryb wzmocnienia kanału P Moc MOSFET DH100P18V SOP-8 DH100P18V SOP-8 -100 V -6A Donghai_DH100P18V_Datasheet_V1.0.pdf
Tryb wzmocnienia kanału N Moc MOSFET 100A 85V DH050N85 / DH050N85E
70A 60V N-kanałowy tryb wzmocnienia Moc MOSFET DATP057N06N DFN5*6 DATP057N06N DFN5*6 60 V 70A Donghai_DATP057N06N_Datasheet_V1.0.pdf
DSE058N15NA TO-263 DSE058N15NA TO-263 150 V 150A Donghai+DSE058N15NA+arkusz danych+V2.0.pdf
18A 200V N-kanałowy tryb wzmocnienia Moc MOSFET DH640 TO-220C DH640 TO-220C 200 V 18A Specyfikacja urządzenia 640.pdf
DHS052N10P DFN5X6 DHS052N10P DFN5*6-8 100 V 99A Specyfikacja urządzenia DHS052N10P.pdf
D7N60 TO-252B D7N60 TO-252B 600 V 7A 英文版D7N60技术规格书.pdf
100A 30V N-kanałowy tryb wzmocnienia Moc MOSFET DH012N03P DFN5*6 DH012N03P DFN5X6 30 V 100A Donghai_DH012N03P_Datasheet_V2.0.pdf

Film o produkcie



  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Zapisz się na nasz newsletter
  • przygotuj się na przyszłość
    zapisz się do naszego newslettera, aby otrzymywać aktualizacje prosto na swoją skrzynkę odbiorczą
    Składać
Prawa autorskie © 2023​​​​​​​ Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd Technologia firmy leadong.com