未命名 (1) (8) (1)
brama
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Jesteś tutaj: Dom » Produkty » Mosfet



Model:
Pakiet:
V:
A:
Wybrane linie produktów:

Mosfet

obrazu modelu Pakiet V A arkusza szczegółowe informacje na temat danych Dodaj do kosza
80A 85 V Tryb wzmocnienia kanału N MOSFET DHS065N85P DFN5*6-8 DHS065N85P DFN5*6-8 85 V. 80a Urządzenie DHS065N85P Specyfikacja. PDF
120A 85 V Tryb wzmacniający N-Kannel Moc MOSFET DHS045N85 TO-220C DHS045N85 To-220C 85 V. 120a Urządzenie DHS045N85 Specyfikacja-Rev.2.0.pdf
205A 85 V Tryb wzmocnienia kanału N MOSFET DHS025N88 TO-263 DHS025N88E To-263 85 V. 205a Urządzenie DHS025N88 Specyfikacja. PDF
90A 150 V Tryb wzmocnienia kanału N MOSFET DHS110N15 TO-220C DHS110N15 To-220C 150 V. 90a Device DHS110N15 Specyfikacja Rev.1.0.pdf
21A 650V N-kanał Super Junction Power MOSFET DHSJ21N65W TO-247 DHSJ21N65W TO-247 650 V. 21a DHSJ21N65W_DATESHEET_V1.0.PDF
81A 80 V Tryb wzmacniający N-Kannel Moc MOSFET DH060N08 TO-220C DH060N08 To-220C 80v 81a Urządzenie DH060N08 Specyfikacja.pdf
42A 600V N-kanał Super Junction MOSFET DJC070N60F TO-247 DJC070N60F TO-247 600V 42a Urządzenie DJC070N60F Specyfikacja.pdf
31A 600V N-Kanał Super Junction Power Mosfet DJC099N60F/DJF099N60F
12A 700V N-kanał Super Junction Power Mosfet DJF360N70
10,6A 650V N-kanał Super Junction Power MOSFET DJD380N65T TO-252B DJD380N65T TO-252B 650 V. 10.6a DJD380N65T_DATESheet_v1.0.pdf
11A 650V N-kanał Super Junction Power MOSFET DHSJ11N65 TO-220C DHSJ11N65 To-220C 650 V. 11a Urządzenie DHSJ11N65 SPECIFICACJA .PDF
13A 650V N-kanał Super Junction Power MOSFET DHSJ13N65 TO-220C DHSJ13N65 To-220C 650 V. 13a Urządzenie DHSJ13N65 Specyfikacja.pdf
25A 650V N-kanał Super Junction Power MOSFET DHSJ25N65F TO-220C DHSJ25N65F To-220C 650 V. 25a Urządzenie DHSJ25N65F Specyfikacja.pdf
3A 900V Tryb wzmacniający N MOSFET MOSFET DHB3N90 TO-251 DHB3N90 To-251 900 V. 3a Urządzenie DH3N90 Specyfikacja.pdf
40A 100 V Tryb wzmacniający kanał P Moc MOSFET DH100P40 TO-220C DH100P40 To-220C 100 V. 40a Urządzenie DH100P40 Specyfikacja.pdf
-10a -40 V Tryb wzmocnienia kanału P MOSFET DH170P04V SOP-8 DH170P04V SOP-8 -40 V. -10a Urządzenie+DH170P04V+Specyfikacja.pdf
50A 650V Brama izolowana Tranzystor dwubiegunowy G50T65D do 3pn G50T65D TO-3PN 650 V. 50a G50T65D 技术规格书 .pdf
150A 150 V Tryb wzmacniający kanał N MOSFET DHS042N15E TO-263 DHS042N15E To-263 150 V. 150a DHS042N15 i DHS042N15E_DATASHEET_V2.0 (1) .pdf
85A 150 V Tryb wzmocnienia kanału N MOSFET DHS110N15D TO-252B DHS110N15D TO-252B 150 V. 85a Urządzenie DHS110N15D Specyfikacja PDF
150 V/9,5MΩ/52A N-MOSFET DHS110N15F TO-220F DHS110N15F Do-220f 150 V. 52a Donghai+DHS110N15F+Arkusz danych+v1.0.pdf

Wideo produktu



  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Zarejestruj się w naszym biuletynie
  • Przygotuj się na przyszłą
    rejestrację na nasz biuletyn, aby uzyskać aktualizacje bezpośrednio do skrzynki odbiorczej
    Składać
Copyright © 2023Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd Technology by Leadong.com