未命名 (1) (8) (1)
brama
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Jesteś tutaj: Dom » Produkty » Mosfet



Model:
Pakiet:
V:
A:
Wybrane linie produktów:

Mosfet

obrazu modelu Pakiet V A arkusza szczegółowe informacje na temat danych Dodaj do kosza
4A 650V NEC CANLANEM MOC MOSFET F4N65 TO-220F F4N65 Do-220f 650 V. 4a 英文版 F4N65 技术规格书 MaxRev1.0.pdf
4A 700 V Tryb wzmocnienia kanału N MOSFET F4N70 TO-220F F4N70 Do-220f 700 V. 4a 英文版 F4N70 技术规格书 (1) .pdf
7A 600 V Tryb wzmocnienia kanału N MOSFET F7N60 F7n60 Do-220f 600V 7a 英文版 f7n60 技术规格书 .pdf
7A 800 V Tryb wzmacniający N-Kananela Moc MOSFET F7N80 TO-220F F7N80 Do-220f 800 V. 7a 英文版 f7n80 技术规格书 .pdf
8A 500 V Tryb wzmocnienia kanału N MOSFET F8N50 TO-220F F8N50 Do-220f 500 V. 8a F8N50_DATESHEET_V1.0.PDF
10A 600 V Tryb wzmocnienia kanału N MOSFET F10N60 TO-220F F10N60 Do-220f 600V 10a 英文版 F10n60 技术规格书 .pdf
10A 700 V Tryb wzmacniający kanał N MOSFET F10N70 TO-220F F10N70 Do-220f 700 V. 10a 英文版 F10N70 技术规格书 Rev1.0.pdf
10A 800 V Tryb wzmacniający kanał N MOSFET F10N80 TO-220F F10N80 Do-220f 800 V. 10a 英文版 F10N80 技术规格书 .pdf
12A 600 V Tryb wzmacniający N-Kannel Moc MOSFET F12N60 TO-220F F12N60 Do-220f 600V 12a 英文版 F12N60 技术规格书 Rev1.0 (1) .pdf
12A 650 V Tryb wzmacniający kanał N MOSFET F12N65 F12N65 Do-220f 650 V. 12a 英文版 F12N65 技术规格书 Rev1.0.pdf
5A 500 V Tryb wzmocnienia kanału N MOSFET MOSFET 5N50 5n50
Tryb wzmocnienia kanału N MOSFET 8A 500V D8N50 TO-252B D8N50 TO-252B 500 V. 8a 英文版 D8N50 技术规格书 Rev1.1.pdf
13A 500 V Tryb wzmocnienia kanału N MOSFET MOSFET 13N50 TO-220C 13n50 To-220C 500 V. 13a 英文版 13n50 技术规格书 .pdf
23A 500 V Tryb wzmacniający kanał N MOSFET MOSFET 23N50D TO-3P 23n50d TO-3PN 500 V. 23a 英文版 23n50d 技术规格书 .pdf
Tryb wzmocnienia kanału N MOSFET 10A 600V 10N60 10n60
Tryb wzmocnienia kanału N MOSFET 10A 650V 10N65 TO-220C 10n65 To-220C 650 V. 10a 英文版 10n65 技术规格书 .pdf
Tryb wzmocnienia kanału N MOSFET 13A 500V F13N50 TO-220F F13N50 Do-220f 500 V. 13a 英文版 F13N50 技术规格书 R1.1.pdf
14A 650 V Tryb wzmacniający N-Kannel Moc MOSFET F14N65 TO-220F F14N65 Do-220f 650 V. 14a 英文版 F14N65 技术规格书 AY3.pdf
16A 650 V Tryb wzmocnienia kanału N MOSFET F16N65 F16N65 Do-220f 650 V. 16a 英文版 F16N65 技术规格书 .pdf
4A 800 V Tryb wzmocnienia kanału N MOSFET MOSFET D4N80 TO-252B D4N80 TO-252B 800 V. 4a 英文版 D4N80 技术规格书 .pdf

Wideo produktu



  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Zarejestruj się w naszym biuletynie
  • Przygotuj się na przyszłą
    rejestrację na nasz biuletyn, aby uzyskać aktualizacje bezpośrednio do skrzynki odbiorczej
    Składać
Copyright © 2023Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd Technology by Leadong.com