未命名(1)(8) (1)
brama
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Jesteś tutaj: Dom » Produkty » MOSFET



Model:
Pakiet:
V:
A:
WYBRANE LINIE PRODUKTOWE:

MOSFET

Obraz Model Pakiet V A Karta katalogowa Szczegóły Zapytanie Dodaj do koszyka
40V/4,0mΩ/66AN-MOSFET DSP060N04LA DFN5*6 DSP060N04LA DFN5X6 40 V 66A DSP060N04LA_Arkusz danych_V1.0.pdf
Pakiet DSG019N04L TO-220C DSG019N04L TO-220C 40 V 180A DSG019N04L_Arkusz danych_V1.0.pdf
100 V/2,2 mΩ/180 A N-MOSFET DSE026N10N3A TO-263 DSE026N10N3A TO-263 100 V 180A DSE026N10N3A_Arkusz danych_V1.0.pdf
7A 650 V N-kanałowy tryb wzmocnienia Moc MOSFET DHD7N65 TO-252B DHD7N65 TO-252B 650 V 7A Wersja DHD7N65 技术规格书REV1.1.pdf
270A 120V N-kanałowy tryb wzmocnienia Moc MOSFET DHS044N12U PAKIET OPŁAT DHS044N12U MYTO 120 V 270A DHS044N12U_Arkusz danych_V2.0.pdf
PAKIET 40V/0,85mΩ/200A N-MOSFET DSE012N04NA TO-263 DSE012N04NA TO-263 40 V 200A DSE012N04NA_Arkusz danych_V1.0.pdf
DHP50P04 DFN5X6 DHP50P04 DFN5X6 -40 V -50A Specyfikacja urządzenia DHP50P04 (DFN56)(1).pdf
DSG070N10L3 TO-220 DSG070N10L3 TO-220C 100 V 100A DSG070N10L3_Datasheet_V1.0+.pdf
21A 650V N-kanałowy superzłącze mocy MOSFET DHSJ21N65W TO-247 DHSJ21N65W TO-247 650 V 21A DHSJ21N65W_Datesheet_V1.0.pdf
MOSFET mocy w trybie N, 60 A, 20 V DH048N02B/DH048N02D
21A 100V N-kanałowy MOSFET mocy w trybie wzmocnienia DHS400N10LD /DHS400N10LB /DHS400N10L
20A 500V N-kanałowy tryb wzmocnienia mocy MOSFET F20N50 F20N50 TO-220F 500 V 20A 英文版F20N50 技术规格书REV1.1.pdf
170A 100 V tryb wzmocnienia kanału N MOSFET mocy DSE028N10N3 TO-263 DSE028N10N3 TO-263 100 V 170A DSG030N10N3 i DSE028N10N3_Arkusz danych_V1.0.pdf
120A 40V N-kanałowy tryb wzmocnienia Moc MOSFET DH033N04 TO-220C DH033N04 TO-220C 40 V 120A Specyfikacja urządzenia DH033N04.pdf
100A 60V N-kanałowy tryb wzmocnienia Moc MOSFET DH066N06 TO-220C DH066N06 TO-220C 60 V 100A DH066N06D_Arkusz danych_V2.0.pdf
160A 30V N-kanałowy tryb wzmocnienia Moc MOSFET DH020N03P 5x6-8 DH020N03P DFN5X6 30 V 160A Specyfikacja urządzenia DH020N03P.pdf
15A 100V N-kanałowy tryb wzmocnienia Moc MOSFET DH850N10B TO-251B DH850N10B TO-251B 100 V 15A Specyfikacja urządzenia DH850N10.pdf
180A 40V N-kanałowy tryb wzmocnienia Moc MOSFET DHS021N04 TO-220C DHS021N04 TO-220C 40 V 180A Donghai+DHS021N04&DHS021N04E+karta katalogowa+V3.0.pdf
Tryb wzmocnienia kanału N Moc MOSFET 145A 60V DH045N06D TO-252B DH045N06 TO-220C 60 V 145A Specyfikacja urządzenia DH045N06.pdf
18A 100 V tryb wzmocnienia kanału P MOSFET mocy DH100P18B TO-251B DH100P18B TO-251B 100 V 18A Urządzenie DH100P18 B79 Specyfikacja.pdf

Film o produkcie



  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Zapisz się na nasz newsletter
  • przygotuj się na przyszłość
    zapisz się do naszego newslettera, aby otrzymywać aktualizacje prosto na swoją skrzynkę odbiorczą
    Składać
Prawa autorskie © 2023​​​​​​​ Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd Technologia firmy leadong.com