未命名(1)(8) (1)
brána
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Nachádzate sa tu: Domov » Produkty » MOSFET



Model:
Balíček:
V:
A:
VYBRANÉ PRODUKTOVÉ RADY:

MOSFET

Obrázok Model Balenie V A Technický list Podrobnosti Dopyt Pridať do košíka
90A 40V N-kanálový režim vylepšenia napájania MOSFET DH045N04 TO-220C DH045N04 TO-220C 40 V 90A Zariadenie DH045N04 Špecifikácia.pdf
7A 650V N-kanálový režim vylepšenia napájania MOSFET DHD7N65 TO-252B DHD7N65 TO-252B 650 V 7A 英文版DHD7N65技术规格书REV1.1.pdf
Balenie DSG019N04L TO-220C DSG019N04L TO-220C 40 V 180A DSG019N04L_Datasheet_V1.0.pdf
100V/2,2mΩ/180A N-MOSFET DSE026N10N3A TO-263 DSE026N10N3A TO-263 100 V 180A DSE026N10N3A_Datasheet_V1.0.pdf
40V/0,85mΩ/200A BALENIE N-MOSFET DSE012N04NA TO-263 DSE012N04NA TO-263 40 V 200A DSE012N04NA_Datasheet_V1.0.pdf
270A 120V N-kanálový režim vylepšenia napájania MOSFET DHS044N12U MÝTNY BALÍK DHS044N12U TOLL 120V 270A DHS044N12U_Datasheet_V2.0.pdf
DSG070N10L3 TO-220 DSG070N10L3 TO-220C 100 V 100A DSG070N10L3_Datasheet_V1.0+.pdf
DHP50P04 DFN5X6 DHP50P04 DFN5X6 -40 V -50A Špecifikácia zariadenia DHP50P04(DFN56)(1).pdf
20A 500V N-kanálový režim vylepšenia napájania MOSFET F20N50 F20N50 TO-220F 500 V 20A 英文版F20N50技术规格书REV1.1.pdf
21A 650V N-channel Super Junction Power MOSFET DHSJ21N65W TO-247 DHSJ21N65W TO-247 650 V 21A DHSJ21N65W_Datesheet_V1.0.pdf
60A 20V N-kanálový režim vylepšenia výkonu MOSFET DH048N02B/DH048N02D
21A 100V N-kanálový režim vylepšenia výkonu MOSFET DHS400N10LD / DHS400N10LB / DHS400N10L
170A 100V režim N-channel Enhancement Mode Power MOSFET DSE028N10N3 TO-263 DSE028N10N3 TO-263 100 V 170A DSG030N10N3&DSE028N10N3_Datasheet_V1.0.pdf
120A 40V N-kanálový režim vylepšenia napájania MOSFET DH033N04 TO-220C DH033N04 TO-220C 40 V 120A Zariadenie DH033N04 Špecifikácia.pdf
100A 60V N-kanálový režim vylepšenia napájania MOSFET DH066N06 TO-220C DH066N06 TO-220C 60 V 100A DH066N06D_Datasheet_V2.0.pdf
160A 30V N-kanálový režim vylepšenia napájania MOSFET DH020N03P 5x6-8 DH020N03P DFN5X6 30V 160A Špecifikácia zariadenia DH020N03P.pdf
15A 100V N-kanálový režim vylepšenia napájania MOSFET DH850N10B TO-251B DH850N10B TO-251B 100 V 15A Špecifikácia zariadenia DH850N10.pdf
180A 40V N-kanálový režim vylepšenia napájania MOSFET DHS021N04 TO-220C DHS021N04 TO-220C 40 V 180A Donghai+DHS021N04&DHS021N04E+DataSheet+V3.0.pdf
N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 145A 60V DH045N06D TO-252B DH045N06 TO-220C 60 V 145A Zariadenie DH045N06 Špecifikácia.pdf
18A 100V P-kanálový režim vylepšenia napájania MOSFET DH100P18B TO-251B DH100P18B TO-251B 100 V 18A Zariadenie DH100P18 B79 Špecifikácia.pdf

Video o produkte



  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Prihláste sa na odber nášho newslettera
  • pripravte sa na budúcu
    registráciu na odber nášho bulletinu, aby ste dostávali aktualizácie priamo do vašej doručenej pošty
    Odoslať
Copyright © 2023​​​​​​​ Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd Technology by leadong.com