未命名 (1) (8) (1)
brána
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Nachádzate sa tu: Domov » Výrobky » Mosfet » 12v-300 V n MOS » 40V/0,85MΩ/200A N-MOSFET DSE012N04NA TO-263

zaťaženie

Zdieľať na:
Tlačidlo zdieľania Facebooku
Tlačidlo zdieľania Twitteru
tlačidlo zdieľania riadkov
Tlačidlo zdieľania WeChat
tlačidlo zdieľania linkedIn
Tlačidlo zdieľania Pinterest
Tlačidlo zdieľania WhatsApp
Tlačidlo zdieľania zdieľania zdieľania

40 V/0,85 mΩ/200A N-MOSFET DSE012N04NA TO-263

Tieto n-kanálové vylepšenie režimu Power MOSFETS používali pokročilý dizajn technológie Trench Trench Technology, poskytovali vynikajúci poplatok RDSON a nízky brán. Čo je v súlade so štandardom ROHS.
Dostupnosť:
množstvo:
Pýtať sa Pridať do koša

40 V/0,85 mΩ/200A N-MOSFET


1 popis 

Tieto n-kanálové vylepšenie režimu Power MOSFETS používali pokročilý dizajn technológie Trench Trench Technology, poskytovali vynikajúci poplatok RDSON a nízky brán. Čo je v súlade so štandardom ROHS. 


2 funkcie

• AEC-Q101 kvalifikovaný

● Nízky odpor

● Nízke kapacity prenosu spätného prenosu

● 100% Energia Energy Energy Energy Test 

● Test 100% ΔVDS 

PLATOVANIE bez PB/ bez halogénu/ ROHS sú v súlade


3 aplikácie 

• Ovládanie a pohon motora

• Nabíjanie/vybíjanie systému na správu batérií 

• Synchrónny usmerňovač pre SMP 

• Automobilová aplikácia


VDSS RDS (on) (typ) Id
40V 0,85 mΩ 200A


Predchádzajúce: 
Ďalej: 
Mosfet
  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Prihláste sa do nášho bulletinu
  • Pripravte sa na budúcnosť
    Prihláste sa do nášho bulletinu, aby ste získali aktualizácie priamo do svojej doručenej pošty
    Odovzdať
Copyright © 2023Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd Technology By Leadong.com