40 V/0,85 mΩ/200 A N-MOSFET DSE012N04NA TO-263-PAKET

40 V/0,85 mΩ/200 A N-MOSFET

1 Beschreibung 

Diese Leistungs-MOSFETs im N-Kanal-Anreicherungsmodus verwenden ein fortschrittliches Split-Gate-Trench-Technologie-Design und bieten einen hervorragenden Rdson und eine niedrige Gate-Ladung. Was dem RoHS-Standard entspricht. 

2 Funktionen

• AEC-Q101-qualifiziert

● Geringer Widerstand

● Geringe Rückübertragungskapazitäten

● 100 % Einzelimpuls-Lawinenenergietest 

● 100 % ΔVDS-Test 

Bleifreie Beschichtung/Halogenfrei/RoHS-konform

3 Anwendungen 

• Motorsteuerung und Antrieb

• Laden/Entladen für Batteriemanagementsystem 

• Synchrongleichrichter für SMPS 

• Automobilanwendung

VDSS	RDS(ein)(TYP)	AUSWEIS
40V	0,85 mΩ	200A