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40 V/0,85 mΩ/200A N-MOSFET DSE012N04NA TO-263 PAKET

Diese N-Channel-Verbesserungsmodus-MOSFETs verwendeten fortschrittliche Splite-Gate-Graben-Technologie-Design und boten eine hervorragende RDSON- und niedrige Gate-Ladung. Das entspricht dem ROHS -Standard.
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40 V/0,85 mΩ/200a n-mosfet


1 Beschreibung 

Diese N-Channel-Verbesserungsmodus-MOSFETs verwendeten fortschrittliche Splite-Gate-Graben-Technologie-Design und boten eine hervorragende RDSON- und niedrige Gate-Ladung. Das entspricht dem ROHS -Standard. 


2 Merkmale

• AEC-Q101 qualifiziert

● Niedrig des Widerstands

● Niedrige Umkehrtransferkapazität

● 100% Einzelpuls -Avalanche -Energietest 

● 100% ΔVDS -Test 

Pb-freie Beschichtung/ Halogenfrei/ ROHS-konform


3 Anwendungen 

• Motorsteuerung und Antrieb

• Ladung/Entladung für das Batteriemanagementsystem 

• Synchroner Gleichrichter für SMPs 

• Automobilanwendung


VDSS RDS (ON) (Typ) AUSWEIS
40V 0,85 mΩ 200a


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