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Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
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40V/0.85MΩ/200a N-Mosfet DSE012N04NA TO-263 PAQUETE

Estos Mosfets de potencia de potencia de modo de mejora del canal N utilizaron un diseño de tecnología de trinchera de compuerta de espíritu avanzada, proporcionó una excelente carga de Rdson y baja puerta. Que concuerda con el estándar ROHS.
Disponibilidad:
Cantidad:

40V/0.85MΩ/200a N-Mosfet


1 descripción 

Estos Mosfets de potencia de potencia de modo de mejora del canal N utilizaron un diseño de tecnología de trinchera de compuerta de espíritu avanzada, proporcionó una excelente carga de Rdson y baja puerta. Que concuerda con el estándar ROHS. 


2 características

• AEC-Q101 calificado

● Bajo en resistencia

● Capacitancias de transferencia inversa bajas

● Prueba de energía de avalancha de pulso 100% 100% 

● Prueba de 100% ΔVDS 

Capazante sin PB/ halógeno/ ROHS


3 aplicaciones 

• Control y unidad del motor

• Carga/descarga para el sistema de gestión de la batería 

• Rectificador sincrónico para SMPS 

• Aplicación automotriz


VDSS RDS (ON) (typ) IDENTIFICACIÓN
40V 0.85mΩ 200a


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