PAQUETE N-MOSFET DSE012N04NA TO-263 de 40 V/0,85 mΩ/200 A

MOSFET N de 40 V/0,85 mΩ/200 A

1 Descripción 

Estos mosfets de potencia en modo de mejora de canal N utilizaron un diseño avanzado de tecnología de zanja de puerta dividida, proporcionaron un Rdson excelente y una carga de puerta baja. Lo cual cumple con el estándar RoHS. 

2 características

• Calificación AEC-Q101

● Baja resistencia

● Bajas capacitancias de transferencia inversa.

● Prueba de energía de avalancha de pulso único al 100% 

● Prueba 100% ΔVDS 

Revestimiento sin Pb/sin halógenos/cumple con RoHS

3 aplicaciones 

• Control y accionamiento de motores

• Carga/Descarga del Sistema de Gestión de Baterías 

• Rectificador síncrono para SMPS 

• Aplicación automotriz

VDSS	RDS (activado) (TIPO)	IDENTIFICACIÓN
40V	0,85 mΩ	200A