ворота
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Вы здесь: Дом » Продукция » МОСФЕТ » 12 В-300В N MOS » » 40 В/0,85 мм/200a n-mosfet dse012n04na ​​to-263

загрузка

Поделиться с:
Кнопка обмена Facebook
Кнопка обмена Twitter
Кнопка обмена строками
Кнопка обмена WeChat
Кнопка совместного использования LinkedIn
Pinterest кнопка совместного использования
Кнопка обмена WhatsApp
Кнопка обмена Sharethis

40 В/0,85 мм/200A N-MOSFET DSE012N04NA TO-263

В этом N-канальном режиме режима режима мощности использовались современные технологии технологии Trench Trench Splite, обеспечивающие отличный RDSON и низкий заряд. Который согласуется со стандартом ROHS.
Доступность:
количество:

40 В/0,85 МОм/200A N-MOSFET


1 Описание 

В этом N-канальном режиме режима режима мощности использовались современные технологии технологии Trench Trench Splite, обеспечивающие отличный RDSON и низкий заряд. Который согласуется со стандартом ROHS. 


2 функции

• AEC-Q101 квалифицирован

● Низкое сопротивление

● Низкие емкости обратного переноса

● 100% тест на электроэнергию с одним импульсной лавиной 

● Тест 100% ΔVDS 

Без PB, бесплатное/ без галогенов/ ROHS, соответствующее


3 приложения 

• управление двигателем и привод

• Зарядка/разряд за системой управления батареями 

• Синхронное выпрямитель для SMPS 

• Автомобильное приложение


VDSS RDS (ON) (тип) ИДЕНТИФИКАТОР
40 В 0,85 МОм 200a


Предыдущий: 
Следующий: 
  • Зарегистрируйтесь в нашей бюллетене
  • Будьте готовы к будущему,
    подпишитесь на нашу новостную рассылку, чтобы получить обновления прямо в ваш почтовый ящик