Διαθεσιμότητα: | |
---|---|
Ποσότητα: | |
DSE012N04NA
WXDH
Έως 263
40V
200α
40V/0.85MΩ/200Α N-MOSFET
1 περιγραφή
Αυτές οι λειτουργίες βελτίωσης N-Channel Power Mosfets χρησιμοποίησαν προηγμένη τεχνολογία τεχνολογίας Trench Splite Gate, παρείχαν εξαιρετική φόρτιση RDSON και χαμηλής πύλης. Η οποία συμφωνεί με το πρότυπο ROHS.
2 χαρακτηριστικά
• AEC-Q101 εξειδικευμένο
● Χαμηλή αντίσταση
● Χαμηλές ικανότητες μεταφοράς αντίστροφης μεταφοράς
● Δοκιμή ενεργειακής δοκιμής 100% μονής παλμού Avalanche
● δοκιμή 100% ΔVDS
ΠΟΛΙΤΙΚΗ ΠΟΛΙΤΙΚΗ/ ΕΛΕΥΘΕΡΗ
3 αιτήσεις
• Έλεγχος και οδήγηση κινητήρα
• Χρέωση/απαλλαγή για σύστημα διαχείρισης μπαταριών
• σύγχρονος ανορθωτής για SMPS
• Εφαρμογή αυτοκινήτων
VDSS | RDS (ON) (τύπος) | ταυτότητα |
40V | 0,85mΩ | 200α |
40V/0.85MΩ/200Α N-MOSFET
1 περιγραφή
Αυτές οι λειτουργίες βελτίωσης N-Channel Power Mosfets χρησιμοποίησαν προηγμένη τεχνολογία τεχνολογίας Trench Splite Gate, παρείχαν εξαιρετική φόρτιση RDSON και χαμηλής πύλης. Η οποία συμφωνεί με το πρότυπο ROHS.
2 χαρακτηριστικά
• AEC-Q101 εξειδικευμένο
● Χαμηλή αντίσταση
● Χαμηλές ικανότητες μεταφοράς αντίστροφης μεταφοράς
● Δοκιμή ενεργειακής δοκιμής 100% μονής παλμού Avalanche
● δοκιμή 100% ΔVDS
ΠΟΛΙΤΙΚΗ ΠΟΛΙΤΙΚΗ/ ΕΛΕΥΘΕΡΗ
3 αιτήσεις
• Έλεγχος και οδήγηση κινητήρα
• Χρέωση/απαλλαγή για σύστημα διαχείρισης μπαταριών
• σύγχρονος ανορθωτής για SMPS
• Εφαρμογή αυτοκινήτων
VDSS | RDS (ON) (τύπος) | ταυτότητα |
40V | 0,85mΩ | 200α |