未命名(1)(8) (1)
πύλη
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Είστε εδώ: Σπίτι » Προϊόντα
Μοντέλο:
Πακέτο:
V:
ΕΝΑ:
ΕΠΙΛΕΓΜΕΝΕΣ ΓΡΑΜΜΕΣ ΠΡΟΪΟΝΤΩΝ:

Όλα τα Προϊόντα

Image Model Package V A φύλλου δεδομένων Στοιχεία Ερώτηση Προσθήκη στο καλάθι
310A 20V Λειτουργία βελτίωσης καναλιών N Power MOSFET DH009N02 TO-220C DH009N02 ΕΩΣ-220C 20V 310Α Προδιαγραφές συσκευής DH009N02.pdf
60A 30V Λειτουργία βελτίωσης καναλιών N Power MOSFET DH081N03D TO-252B DH081N03D TO-252B 30V 60Α Προδιαγραφές συσκευής DH081N03.pdf
30A 30V Λειτουργία βελτίωσης καναλιών N Power MOSFET DH081N03R DFN3*3-8 DH081N03R DFN3*3-8 30V 30Α Προδιαγραφές συσκευής DH081N03R.pdf
40A 150V SchottkyBarrierDiode MBR40150CT TO-263 MBR40150CT ΤΟ-263 150V 40Α 英文版MBR40150CT技术规格书.pdf
10A 700V δίοδος γρήγορης ανάκτησης MURF1070 TO-220F-2L MURF1070 TO-220F 700V 10Α 英文版MUR1070技术规格书.pdf
320A 30V Λειτουργία βελτίωσης καναλιών N Power MOSFET DH012N03D TO-252B DH012N03D TO-252B 30V 320Α Προδιαγραφές συσκευής DH012N03.pdf
Λειτουργία βελτίωσης N καναλιών Power MOSFET 180A 40V DHS020N04D TO-252B DHS020N04D TO-252B 40V 180Α Προδιαγραφές συσκευής DHS020N04D.pdf
320A 30V Λειτουργία βελτίωσης καναλιών N Power MOSFET DH012N03 TO-220C DH012N03 ΕΩΣ-220C 30V 320Α Προδιαγραφές συσκευής DH012N03.pdf
0,8A 600V Λειτουργία βελτίωσης καναλιών N Power MOSFET B1N60 TO-251 B1N60 TO-251B 600V 0,8Α
-30A -60V Λειτουργία βελτίωσης καναλιού P Power MOSFET DH300P06D TO-252B DH300P06D TO-252B -60V -30Α Προδιαγραφές συσκευής DH300P06.pdf
35A Λειτουργία βελτίωσης καναλιών N 120 V Power MOSFET DSD270N12N3 TO-252B DSD270N12N3 TO-252B 120V 35Α Συσκευή+DSD270N12N3+Specification+Rev.1.0.pdf
175A 80V Λειτουργία βελτίωσης καναλιών N Power MOSFET DHS035N88E TO-263 DHS035N88E ΤΟ-263 80V 175Α Donghai_DHS035N88&DHS035N88E&DHS035N88I_DataSheet_V2.0.pdf
105A 68V Λειτουργία βελτίωσης καναλιών N Power MOSFET DHS055N07E TO-263 DHS055N07E ΤΟ-263 68V 105Α Donghai+DHS055N07&DHS055N07E+DataSheet+V2.0 .pdf
100A 85V Λειτουργία βελτίωσης καναλιών N Power MOSFET DH85N08 TO-220C DH85N08 ΕΩΣ-220C 85 V 100Α Προδιαγραφές συσκευής DH85N08.pdf
60A 300V δίοδος γρήγορης ανάκτησης MUR6030NCA TO-3PN MUR6030NCA TO-3PN 300V 60Α 英文版 MUR6030NCA 技术规格书.pdf
4A 650V Λειτουργία βελτίωσης N-καναλιών Power MOSFET D4N65 TO-252B D4N65 TO-252B 650V 4Α 英文版D4N65技术规格书REV1.0.pdf
600A 650V Μονάδα μισής γέφυρας IGBTMmodule DGD600H65M2T EconoDUAL3 PACKAGE DGD600H65M2T EconoDUAL3 650V 600Α DGD600H65M2T REV1.0.pdf
41A 650V N-κανάλι SIC Power MOSFET DCCF060M65G2 TO-247 DCCF060M65G2 TO-247-4L 650V 41Α Donghai_DCC060M65G2&DCCF060M65G2_Datasheet_V1.0.pdf
60A 68V Λειτουργία βελτίωσης καναλιών N Power MOSFET DHF50N06 TO-220F DHF50N06 TO-220F 68V 60Α Device 50N06B34 Specification.pdf
49A 80V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET DH116N08D TO-252B 80V 49Α Προδιαγραφές συσκευής DH116N08.pdf

Βίντεο προϊόντος

  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Εγγραφείτε για το ενημερωτικό μας δελτίο
  • ετοιμαστείτε για το μέλλον
    εγγραφείτε στο ενημερωτικό μας δελτίο για να λαμβάνετε ενημερώσεις κατευθείαν στα εισερχόμενά σας
    Υποτάσσομαι
Πνευματικά δικαιώματα © 2023​​​​​​ Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd Technology by leadong.com