πύλη
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Βρίσκεστε εδώ: Σπίτι » Προϊόντα » Μονάδα IGBT » Ευσέβεια » 800A 1200V Η μονάδα μισής γέφυρας IGBTMODULE DGB800H120L2T

φόρτωση

Μοιραστείτε:
κουμπί κοινής χρήσης στο Facebook
κουμπί κοινής χρήσης Twitter
κουμπί κοινής χρήσης γραμμής
κουμπί κοινής χρήσης WeChat
κουμπί κοινής χρήσης LinkedIn
κουμπί κοινής χρήσης Pinterest
κουμπί κοινής χρήσης WhatsApp
Κουμπί κοινής χρήσης Sharethis

800A 1200V Μονάδα μισής γέφυρας IGBTMODULE DGB800H120L2T

Αυτές οι διπολυμένες πύλες διπολική τρανζίστορ χρησιμοποίησαν προηγμένο σχεδιασμό τεχνολογίας Trench και FieldStop, παρείχαν εξαιρετική ταχύτητα και ταχύτητα μεταγωγής, χαμηλή φόρτιση πύλης. Η οποία συμφωνεί με το πρότυπο ROHS.
Διαθεσιμότητα:
Ποσότητα:
  • DGB800H120L2T

  • WXDH

  • 62 χιλιοστά

  • DGB800H120L2T.PDF

  • 1200V

  • 800Α

800A 1200V Μονάδα μισής γέφυρας


1 περιγραφή 

Αυτές οι διπολυμένες πύλες διπολική τρανζίστορ χρησιμοποίησαν προηγμένο σχεδιασμό τεχνολογίας Trench και FieldStop, παρείχαν εξαιρετική ταχύτητα και ταχύτητα μεταγωγής, χαμηλή φόρτιση πύλης. Η οποία συμφωνεί με το πρότυπο ROHS. 


2 χαρακτηριστικά 

● Τεχνολογία FS, θετικός συντελεστής θερμοκρασίας

● Χαμηλή τάση κορεσμού: VCE (SAT), τύπος = 1,7V @ IC = 800A και TJ = 25 ° C

● Εξαιρετικά βελτιωμένη ικανότητα χιονοστιβάδας


3 αιτήσεις 

  •  Συγκόλληση 

  •  Σκαμπανεβάσματα 

  •  Μετατροπέας τριών επιπέδων 

  •  AC και DC Servo Drive Drive

Τύπος VCE Ριζικό VCESAT, TJ = 25 ℃ Tjop Πακέτο
DGQ450C65M2T 1200V 800a (TJ = 100 ℃) 1.7V (τύπος) 175 ℃ 62 χιλιοστά


Προηγούμενος: 
Επόμενος: 
  • Εγγραφείτε στο ενημερωτικό δελτίο μας
  • Ετοιμαστείτε για το μέλλον
    εγγραφείτε για το ενημερωτικό δελτίο μας για να λάβετε ενημερώσεις κατευθείαν στα εισερχόμενά σας