πύλη
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Είστε εδώ: Σπίτι » Προϊόντα » ΕΝΟΤΗΤΑ IGBT » PIM » Μονάδα μισής γέφυρας 800A 1200V IGBTMmodule DGB800H120L2T

φόρτωση

Κοινοποίηση σε:
κουμπί κοινής χρήσης facebook
κουμπί κοινής χρήσης twitter
κουμπί κοινής χρήσης γραμμής
κουμπί κοινής χρήσης wechat
κουμπί κοινής χρήσης linkedin
κουμπί κοινής χρήσης pinterest
κουμπί κοινής χρήσης whatsapp
κοινοποιήστε αυτό το κουμπί κοινής χρήσης

Μονάδα μισής γέφυρας 800A 1200V IGBTMmodule DGB800H120L2T

Αυτό το διπολικό τρανζίστορ Insulated Gate χρησιμοποιούσε προηγμένη σχεδίαση τεχνολογίας τάφρου και Fieldstop, παρείχε εξαιρετική ταχύτητα VCEsat και μεταγωγή, χαμηλή φόρτιση πύλης. Το οποίο συμφωνεί με το πρότυπο RoHS.
Διαθεσιμότητα:
Ποσότητα:
  • DGB800H120L2T

  • WXDH

  • 62mm

  • DGB800H120L2T.pdf

  • 1200V

  • 800Α

Μονάδα μισής γέφυρας 800A 1200V


1 Περιγραφή 

Αυτό το διπολικό τρανζίστορ Insulated Gate χρησιμοποιούσε προηγμένο σχεδιασμό τεχνολογίας τάφρου και Fieldstop, παρείχε εξαιρετική ταχύτητα VCEsat και μεταγωγή, χαμηλή φόρτιση πύλης. Το οποίο συμφωνεί με το πρότυπο RoHS. 


2 Χαρακτηριστικά 

● Τεχνολογία FS Trench, Θετικός συντελεστής θερμοκρασίας

● Χαμηλή τάση κορεσμού: VCE(sat), typ = 1,7V @ IC =800A και Tj = 25°C

● Εξαιρετικά βελτιωμένη ικανότητα χιονοστιβάδας


3 Εφαρμογές 

  •  Συγκόλληση 

  •  UPS 

  •  Μετατροπέας τριών επιπέδων 

  •  Ενισχυτής σερβοκινητήρα AC και DC

Τύπος VCE Ic VCEsat,Tj=25℃ Tjop Πακέτο
DGQ450C65M2T 1200V 800A (Tj=100℃) 1,7 V (Τύπος) 175℃ 62mm


Προηγούμενος: 
Επόμενος: 
  • Εγγραφείτε για το ενημερωτικό μας δελτίο
  • ετοιμαστείτε για το μέλλον
    εγγραφείτε στο ενημερωτικό μας δελτίο για να λαμβάνετε ενημερώσεις κατευθείαν στα εισερχόμενά σας