800A 1200V Yarım köprü modülü IGBTModule DGB800H120L2T

800A 1200V Yarım köprü modülü

1 Açıklama 

Bu Yalıtımlı Geçit Bipolar Transistörü, gelişmiş hendek ve Fieldstop teknolojisi tasarımını kullanmış, mükemmel VCEsat ve anahtarlama hızı ve düşük geçit şarjı sağlamıştır. RoHS standardına uygundur. 

2 Özellikler 

● FS Hendek Teknolojisi, Pozitif sıcaklık katsayısı

● Düşük doyma voltajı: VCE(sat), tip = 1,7V @ IC =800A ve Tj = 25°C

● Son derece gelişmiş çığ kapasitesi

3 Uygulama 

•  Kaynak 

•  GÜÇ KAYNAĞI 

•  Üç Seviyeli İnvertör 

•  AC ve DC servo sürücü amplifikatörü