未命名 (1) (8) (1)
geçit
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Buradasınız: Ev » Ürünler » IGBT modülü » Pim » 800A 1200V Yarım Köprü Modülü IGBTMODULE DGB800H120L2T

yükleme

Paylaşın:
Facebook Paylaşım Düğmesi
Twitter Paylaşım Düğmesi
Hat Paylaşım Düğmesi
WeChat Paylaşım Düğmesi
LinkedIn Paylaşım Düğmesi
Pinterest Paylaşım Düğmesi
WhatsApp Paylaşım Düğmesi
sharethis paylaşım düğmesi

800A 1200V Yarım Köprü Modülü IGBTMODULE DGB800H120L2T

Bu yalıtımlı geçit bipolar transistör, gelişmiş hendek ve saha stop teknolojisi tasarımı kullandı, mükemmel vcesat ve anahtarlama hızı, düşük kapı şarjı sağladı. ROHS standardı ile uyumludur.
Kullanılabilirlik:
Miktar:
Sormak Sepete Ekle

  • DGB800H120L2T

  • WXDH

  • 62mm

  • DGB800H120L2T.PDF

  • 1200V

  • 800A

800A 1200V Yarım Köprü Modülü


1 Açıklama 

Bu yalıtımlı geçit bipolar transistör, gelişmiş hendek ve saha stop teknolojisi tasarımı kullandı, mükemmel vcesat ve anahtarlama hızı, düşük kapı şarjı sağladı. ROHS standardı ile uyumludur. 


2 Özellik 

● FS hendek teknolojisi, pozitif sıcaklık katsayısı

● Düşük doygunluk voltajı: VCE (SAT), tip = 1.7V @ IC = 800A ve TJ = 25 ° C

● Son derece gelişmiş çığ yeteneği


3 Uygulama 

  •  Kaynak 

  •  GÜÇ KAYNAĞI 

  •  Üç-ciltli 

  •  AC ve DC Servo Drive Amplifikatörü

Tip VCE İc VCCEAT, TJ = 25 ℃ Tjop Paketi
DGQ450C65M2T 1200V 800A (TJ = 100 ℃) 1.7V (tip) 175 ℃ 62mm


Öncesi: 
Sonraki: 
İgbtmodule
  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Bültenimize kaydolun
  • Geleceğe Hazır Olun
    Bültenimize doğrudan gelen kutunuza güncellemeler almak için kaydolun
    Göndermek
Telif Hakkı © 2023Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd Technology tarafından Leadong.com