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800a 1200v Module de demi-pont Igbtmodule DGB800H120L2T

Ces transistors bipolaires de grille isolés ont utilisé la conception avancée de la technologie de tranchée et de perfectionnement de champ, ont fourni un excellent VCESAT et une vitesse de commutation, une charge de porte basse. Qui correspond à la norme ROHS.
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  • DGB800H120L2T

  • Wxdh

  • 62 mm

  • DGB800H120L2T.PDF

  • 1200 V

  • 800A

Module de demi-pont 800A 1200V


1 Description 

Ces transistors bipolaires de grille isolés ont utilisé la conception avancée de la technologie de tranchée et de perfectionnement de champ, ont fourni un excellent VCESAT et une vitesse de commutation, une charge de porte basse. Qui correspond à la norme ROHS. 


2 caractéristiques 

● Technologie FS Trench, coefficient de température positive

● Tension de saturation basse: VCE (SAT), TYP = 1,7 V @ IC = 800A et TJ = 25 ° C

● Capacité d'avalanche extrêmement améliorée


3 applications 

  •  Soudage 

  •  Hauts 

  •  Onduleur à trois levés 

  •  Amplificateur AC et DC Servo Drive

Taper Vce IC Vcesat, tj = 25 ℃ Tjop Emballer
DGQ450C65M2T 1200 V 800a (tj = 100 ℃) 1.7 V (TYP) 175 ℃ 62 mm


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