未命名 (1) (8) (1)
Gate
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Narito ka: Home » Mga produkto » Module ng IGBT » Pim » 800A 1200V Half Bridge Module IGBTMODULE DGB800H120L2T

Naglo -load

Ibahagi sa:
Button sa Pagbabahagi ng Facebook
Button sa Pagbabahagi ng Twitter
Button sa Pagbabahagi ng Linya
Button ng Pagbabahagi ng WeChat
Button sa Pagbabahagi ng LinkedIn
Button ng Pagbabahagi ng Pinterest
pindutan ng pagbabahagi ng whatsapp
Button ng Pagbabahagi ng Sharethis

800A 1200V Half Bridge Module IGBTMODULE DGB800H120L2T

Ang mga insulated gate bipolar transistor na ginamit ang advanced na trench at fieldstop na disenyo ng teknolohiya, na ibinigay ng mahusay na vcesat at bilis ng paglipat, mababang singil sa gate. Na naaayon sa pamantayan ng ROHS.
Availability:
Dami:
Magtanong Idagdag sa basket

  • DGB800H120L2T

  • Wxdh

  • 62mm

  • DGB800H120L2T.PDF

  • 1200V

  • 800a

800A 1200V kalahating module ng tulay


1 Paglalarawan 

Ang mga insulated gate bipolar transistor na ginamit ang advanced na trench at fieldstop na disenyo ng teknolohiya, na ibinigay ng mahusay na vcesat at bilis ng paglipat, mababang singil sa gate. Na naaayon sa pamantayan ng ROHS. 


2 Mga Tampok 

● Teknolohiya ng FS Trench, koepisyent ng positibong temperatura

● Mababang boltahe ng saturation: vce (sat), typ = 1.7v @ ic = 800a at tj = 25 ° C

● Sobrang pinahusay na kakayahan ng avalanche


3 mga aplikasyon 

  •  Pag -welding 

  •  UPS 

  •  Tatlong-leve inverter 

  •  AC at DC Servo Drive amplifier

I -type Vce IC Vcesat, tj = 25 ℃ TJOP Package
DGQ450C65M2T 1200V 800a (tj = 100 ℃) 1.7V (typ) 175 ℃ 62mm


Nakaraan: 
Susunod: 
IgBtModule
  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Mag -sign up para sa aming newsletter
  • Maghanda para sa hinaharap
    na pag -sign up para sa aming newsletter upang makakuha ng mga update nang diretso sa iyong inbox
    Isumite
Copyright © 2023Jiangsu Donghai Semiconductor Co, Ltd Technology ni leadong.com