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800A 1200V Halbbrückenmodul IGBTModule DGB800H120L2T

Diese Bipolartransistoren mit isoliertem Gate verwenden ein fortschrittliches Trench- und Fieldstop-Technologiedesign und bieten eine hervorragende VCEsat- und Schaltgeschwindigkeit sowie eine niedrige Gate-Ladung. Was dem RoHS-Standard entspricht.
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  • DGB800H120L2T

  • WXDH

  • 62MM

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  • 1200V

  • 800A

800A 1200V Halbbrückenmodul


1 Beschreibung 

Diese Bipolartransistoren mit isoliertem Gate verwenden ein fortschrittliches Trench- und Fieldstop-Technologiedesign und bieten eine hervorragende VCEsat- und Schaltgeschwindigkeit sowie eine niedrige Gate-Ladung. Was dem RoHS-Standard entspricht. 


2 Funktionen 

● FS Trench-Technologie, positiver Temperaturkoeffizient

● Niedrige Sättigungsspannung: VCE(sat), typ = 1,7 V bei IC = 800 A und Tj = 25 °C

● Extrem verbesserte Lawinenfähigkeit


3 Anwendungen 

  •  Schweißen 

  •  UPS 

  •  Dreistufiger Wechselrichter 

  •  AC- und DC-Servoantriebsverstärker

Typ VCE Ic VCEsat,Tj=25℃ Tjop Paket
DGQ450C65M2T 1200V 800A (Tj=100℃) 1,7 V (typisch) 175℃ 62MM


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