PACCHETTO N-MOSFET DSE012N04NA TO-263 da 40 V/0,85 mΩ/200 A

MOSFET N da 40 V/0,85 mΩ/200 A

1 Descrizione 

Questi mosfet di potenza in modalità di potenziamento a canale N utilizzavano un design avanzato con tecnologia splite gate trench, fornendo un eccellente Rdson e una bassa carica di gate. Che è conforme allo standard RoHS. 

2 Caratteristiche

• Qualificato AEC-Q101

● Bassa resistenza

● Basse capacità di trasferimento inverso

● Test energetico da valanga a impulso singolo al 100%. 

● Test ΔVDS al 100%. 

Placcatura senza piombo/senza alogeni/conforme a RoHS

3 applicazioni 

• Controllo e azionamento del motore

• Carica/scarica per il sistema di gestione della batteria 

• Raddrizzatore sincrono per SMPS 

• Applicazione automobilistica

VDSS	RDS(acceso)(TIPO)	ID
40 V	0,85 mΩ	200A