40V/0,85mΩ/200A N-MOSFET
1 Deskripsi
MOSFET daya mode peningkatan saluran-N ini menggunakan desain teknologi parit gerbang terpisah yang canggih, memberikan Rdson yang sangat baik dan muatan gerbang yang rendah. Yang sesuai dengan standar RoHS.
2 Fitur
• Memenuhi syarat AEC-Q101
● Resistensinya rendah
● Kapasitansi transfer balik yang rendah
● 100% uji energi longsoran pulsa tunggal
● Tes ΔVDS 100%.
Pelapisan bebas Pb/Bebas Halogen/ Sesuai RoHS
3 Aplikasi
• Kontrol dan Penggerak Motor
• Pengisian/Pengosongan untuk Sistem Manajemen Baterai
• Penyearah Sinkron untuk SMPS
• Aplikasi otomotif
| VDSS |
RDS(aktif)(TYP) |
PENGENAL |
| 40V |
0,85mΩ |
200A |