ความพร้อม: | |
---|---|
ปริมาณ: | |
dse012n04na
wxdh
ถึง -263
40V
200A
40V/0.85MΩ/200A N-MOSFET
1 คำอธิบาย
โหมดการปรับปรุง N-Channel Mosfets เหล่านี้ใช้การออกแบบเทคโนโลยีร่องน้ำเกต Splite ขั้นสูงให้ RDSON ที่ยอดเยี่ยมและชาร์จประตูต่ำ ซึ่งสอดคล้องกับมาตรฐาน ROHS
2 คุณสมบัติ
• AEC-Q101 มีคุณสมบัติ
●ความต้านทานต่ำ
●ความสามารถในการถ่ายโอนแบบย้อนกลับต่ำ
●การทดสอบพลังงานพัลส์อะเวียนเดี่ยว 100%
●การทดสอบ 100% ΔVDS
มาตรฐานการชุบด้วยการชุบฟรี/ ปลอดฮาโลเจน/ ROHS
3 แอปพลิเคชัน
•การควบคุมมอเตอร์และไดรฟ์
•การชาร์จ/จำหน่ายสำหรับระบบการจัดการแบตเตอรี่
•วงจรเรียงกระแสแบบซิงโครนัสสำหรับ SMPS
•แอปพลิเคชันยานยนต์
VDSS | RDS (ON) (TYP) | รหัสประจำตัว |
40V | 0.85mΩ | 200A |
40V/0.85MΩ/200A N-MOSFET
1 คำอธิบาย
โหมดการปรับปรุง N-Channel Mosfets เหล่านี้ใช้การออกแบบเทคโนโลยีร่องน้ำเกต Splite ขั้นสูงให้ RDSON ที่ยอดเยี่ยมและชาร์จประตูต่ำ ซึ่งสอดคล้องกับมาตรฐาน ROHS
2 คุณสมบัติ
• AEC-Q101 มีคุณสมบัติ
●ความต้านทานต่ำ
●ความสามารถในการถ่ายโอนแบบย้อนกลับต่ำ
●การทดสอบพลังงานพัลส์อะเวียนเดี่ยว 100%
●การทดสอบ 100% ΔVDS
มาตรฐานการชุบด้วยการชุบฟรี/ ปลอดฮาโลเจน/ ROHS
3 แอปพลิเคชัน
•การควบคุมมอเตอร์และไดรฟ์
•การชาร์จ/จำหน่ายสำหรับระบบการจัดการแบตเตอรี่
•วงจรเรียงกระแสแบบซิงโครนัสสำหรับ SMPS
•แอปพลิเคชันยานยนต์
VDSS | RDS (ON) (TYP) | รหัสประจำตัว |
40V | 0.85mΩ | 200A |