pintu pagar
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Anda di sini: Rumah » Produk » MOSFET » MOS 12V-300V N » 40V/0.85mΩ/200A N-MOSFET DSE012N04NA TO-263 PAKEJ

memuatkan

Kongsi kepada:
butang perkongsian facebook
butang perkongsian twitter
butang perkongsian talian
butang perkongsian wechat
butang perkongsian linkedin
butang perkongsian pinterest
butang perkongsian whatsapp
kongsi butang perkongsian ini

40V/0.85mΩ/200A N-MOSFET DSE012N04NA TO-263 PAKEJ

Mosfet kuasa mod peningkatan saluran N ini menggunakan reka bentuk teknologi parit splite gate termaju, menyediakan Rdson yang sangat baik dan caj get rendah. Yang sesuai dengan piawaian RoHS.
Ketersediaan:
Kuantiti:

40V/0.85mΩ/200A N-MOSFET


1 Penerangan 

Mosfet kuasa mod peningkatan saluran N ini menggunakan reka bentuk teknologi parit splite gate termaju, menyediakan Rdson yang sangat baik dan caj get rendah. Yang sesuai dengan piawaian RoHS. 


2 Ciri

• Layak AEC-Q101

● Rendah pada rintangan

● Kapasiti pemindahan terbalik yang rendah

● 100% ujian tenaga salji nadi tunggal 

● 100% ujian ΔVDS 

Penyaduran bebas Pb/Bebas Halogen/ mematuhi RoHS


3 Aplikasi 

• Kawalan Motor dan Pandu

• Caj/Nyahcas untuk Sistem Pengurusan Bateri 

• Penerus Segerak untuk SMPS 

• Aplikasi automotif


VDSS RDS(on)(TYP) ID
40V 0.85mΩ 200A


Sebelumnya: 
Seterusnya: 
  • Daftar untuk surat berita kami
  • bersiap sedia untuk masa hadapan
    mendaftar untuk surat berita kami untuk mendapatkan kemas kini terus ke peti masuk anda