未命名(1)(8) (1)
gate
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Narito ka: Bahay » Mga produkto » MOSFET » 12V-300V N MOS » 40V/0.85mΩ/200A N-MOSFET DSE012N04NA TO-263 PACKAGE

naglo-load

Ibahagi sa:
button sa pagbabahagi ng facebook
button sa pagbabahagi ng twitter
pindutan ng pagbabahagi ng linya
buton ng pagbabahagi ng wechat
button sa pagbabahagi ng linkedin
Pindutan ng pagbabahagi ng pinterest
pindutan ng pagbabahagi ng whatsapp
ibahagi ang button na ito sa pagbabahagi

40V/0.85mΩ/200A N-MOSFET DSE012N04NA TO-263 PACKAGE

Ang mga N-channel enhancement mode power mosfets na ito ay gumamit ng advanced na splite gate trench technology na disenyo, na nagbigay ng mahusay na Rdson at mababang gate charge. Alin ang naaayon sa pamantayan ng RoHS.
Availability:
Dami:
Magtanong Idagdag sa Basket

40V/0.85mΩ/200A N-MOSFET


1 Paglalarawan 

Ang mga N-channel enhancement mode power mosfets na ito ay gumamit ng advanced na splite gate trench technology na disenyo, na nagbigay ng mahusay na Rdson at mababang gate charge. Alin ang naaayon sa pamantayan ng RoHS. 


2 Mga Tampok

• Kwalipikado ang AEC-Q101

● Mababa ang resistensya

● Mababang reverse transfer capacitances

● 100% single pulse avalanche energy test 

● 100% ΔVDS test 

Pb-free plating/Halogen-Free/ RoHS compliant


3 Aplikasyon 

• Motor Control at Drive

• Charge/Discharge para sa Battery Management System 

• Synchronous Rectifier para sa SMPS 

• Automotive application


VDSS RDS(on)(TYP) ID
40V 0.85mΩ 200A


Nakaraan: 
Susunod: 
MOSFET
  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Mag-sign up para sa aming newsletter
  • maghanda para sa hinaharap
    na pag-sign up para sa aming newsletter upang makakuha ng mga update diretso sa iyong inbox
    Isumite
Copyright © 2023​​​​​​​ Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd Teknolohiya ni leadong.com