未命名(1)(8) (1)
gate
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Du är här: Hem » Produkter » MOSFET



Modell:
Paket:
V:
A:
VALDA PRODUKTRADER:

MOSFET

Bild Modell Paket V A Datablad Detaljer Förfrågan Lägg i kundvagnen
DSG014N04N TO-220CPacket DSG014N04N TO-220C 40V 200A DSG014N04N_Datablad_V1.0+.pdf
100V/2,2mΩ/180A N-MOSFET DSE026N10N3A TO-263 DSE026N10N3A TO-263 100V 180A DSE026N10N3A_Datablad_V1.0.pdf
7A 650V N-kanals förbättringsläge Power MOSFET DHD7N65 TO-252B DHD7N65 TO-252B 650V 7A 英文版DHD7N65技术规格书REV1.1.pdf
DSG019N04L TO-220C Paket DSG019N04L TO-220C 40V 180A DSG019N04L_Datablad_V1.0.pdf
270A 120V N-kanals förbättringsläge Ström MOSFET DHS044N12U AVGIFTSPAKET DHS044N12U VÄGTULL 120V 270A DHS044N12U_Datablad_V2.0.pdf
40V/0,85mΩ/200A N-MOSFET DSE012N04NA TO-263-PAKET DSE012N04NA TO-263 40V 200A DSE012N04NA_Datablad_V1.0.pdf
DHP50P04 DFN5X6 DHP50P04 DFN5X6 -40V -50A Enhetsspecifikation DHP50P04(DFN56)(1).pdf
DSG070N10L3 TO-220 DSG070N10L3 TO-220C 100V 100A DSG070N10L3_Datablad_V1.0+.pdf
21A 100V N-kanals Enhancement Mode Power MOSFET DHS400N10LD /DHS400N10LB /DHS400N10L
20A 500V N-kanals förbättringsläge Power MOSFET F20N50 F20N50 TO-220F 500V 20A 英文版F20N50技术规格书REV1.1.pdf
21A 650V N-kanals Super Junction Power MOSFET DHSJ21N65W TO-247 DHSJ21N65W TO-247 650V 21A DHSJ21N65W_Datumblad_V1.0.pdf
60A 20V N-kanals Enhancement Mode Power MOSFET DH048N02B/DH048N02D
170A 100V N-kanals förbättringsläge Power MOSFET DSE028N10N3 TO-263 DSE028N10N3 TO-263 100V 170A DSG030N10N3&DSE028N10N3_Datasheet_V1.0.pdf
100A 60V N-kanals förbättringsläge Power MOSFET DH066N06 TO-220C DH066N06 TO-220C 60V 100A DH066N06D_Datablad_V2.0.pdf
160A 30V N-kanals förbättringsläge Effekt MOSFET DH020N03P 5x6-8 DH020N03P DFN5X6 30V 160A Enhet DH020N03P Specification.pdf
120A 40V N-kanals förbättringsläge Power MOSFET DH033N04 TO-220C DH033N04 TO-220C 40V 120A Enhet DH033N04 Specifikation.pdf
180A 40V N-kanals förbättringsläge Power MOSFET DHS021N04 TO-220C DHS021N04 TO-220C 40V 180A Donghai+DHS021N04&DHS021N04E+Datablad+V3.0.pdf
15A 100V N-kanals förbättringsläge Power MOSFET DH850N10B TO-251B DH850N10B TO-251B 100V 15A Enhet DH850N10 Specification.pdf
N-kanals förbättringsläge Effekt MOSFET 145A 60V DH045N06D TO-252B DH045N06 TO-220C 60V 145A Enhet DH045N06 Specifikation.pdf
47A 100V N-kanals förbättringsläge Power MOSFET TO-220C DHS180N10L TO-220C 100V 47A Enhet DHS180N10L Specifikation.pdf

Produktvideo



  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Anmäl dig till vårt nyhetsbrev
  • gör dig redo för framtiden
    registrera dig för vårt nyhetsbrev för att få uppdateringar direkt i din inkorg
    Överlämna
Copyright © 2023​​​​​​​ Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd Technology by leadong.com