未命名 (1) (8) (1)
gate
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Du är här: Hem » Produkt » Mosfet



Modell:
Paket:
V:
A:
Valda produktlinjer:

Mosfet

Bildmodellpaket v Datablad korgen a till beskriver förfrågan Lägg i
7A 700V N-kanal förbättringsläge Power MOSFET D7N70 TO-252B D7n70 TO-252B 700V 7a 英文版 d7n70 技术规格书 .pdf
N-kanalförbättringsläge Power MOSFET 10A 700V D10N70 TO-252B D10N70 TO-252B 700V 10A 英文版 D10N70 技术规格书 REV1.0.PDF
2A 650V N-kanalförbättringsläge Power MOSFET B2N65 B2n65 TO-251B 650V 2A 英文版 B2N65 技术规格书 .pdf
4A 600V N-kanalförbättringsläge Power MOSFET B4N60 B4N60 TO-251B 600V 4A 英文版 B4N60 技术规格书 .pdf
N-kanalförbättringsläge Power MOSFET 4A 800V B4N80 TO-251B B4N80 TO-251B 800V 4A 英文版 B4N80 技术规格书 .pdf
5A 650V N-kanalförbättringsläge Power MOSFET B5N65 TO-251B B5n65 TO-251B 650V 5A 英文版 B5N65 技术规格书 MAX.PDF
50A 200V N-kanalförbättringsläge Power MOSFET F50N20 F50N20 TO-220F 200V 50A Enhet F50N20 -specifikation (1) .pdf
N-kanalförbättringsläge Power MOSFET 5A 650V 5N65C TO-220C 5n65c TO-220C 650V 5A 英文版 5n65c 技术规格书 .pdf
8A 650V N-kanalförbättringsläge Power MOSFET F8N65 TO-220F F8n65 TO-220F 650V 8a F8n65 技术规格书 .pdf
N-kanalförbättringsläge Power MOSFET 7A 700V B7N70 TO-251B B7n70 TO-251B 700V 7a 英文版 B7N70 技术规格书 .pdf
N-kanalförbättringsläge Power MOSFET 13A 500V E13N50 TO-263 E13N50 Till-263 500V 13a 英文版 E13N50 技术规格书 .pdf
180A 60V N-kanalförbättringsläge Power MOSFET DHS015N06 TO-220C DHS015N06 TO-220C 60V 180A Donghai+DHS015N06 & DHS015N06E+Datablad+Rev.1.0.pdf
N-kanalförbättringsläge Power MOSFET 180A 60V DHS015N06E TO-263 DHS015N06E Till-263 60V 180A Donghai+DHS015N06 & DHS015N06E+Datablad+Rev.1.0.pdf
N-kanalförbättringsläge Power MOSFET 5A 650V D5N65-XAD TO-252B D5N65-XAD TO-252B 650V 5A 英文版 D5N65-XAD 技术规格书 .pdf
13A 100V P-kanalförbättringsläge Power MOSFET18P10D TO-252B 18p10d TO-252B -100V -13a Enhet 18p10 specifikation.pdf
100A 30V N-kanalförbättringsläge Power MOSFET 30H10/30H10F/30H10E/30H10B/30H10K 30H10/30H10F/30H10E/30H10B/30H10K
18A 200V N-kanal förbättringsläge Power MOSFET D18N20 TO-252B D18N20 TO-252B 200V 18a Enhet D18N20 Specifikation Rev.1.0.pdf
9A 200V N-kanalförbättringsläge Power MOSFET D630 TO-252B D630 TO-252B 200V 9a Enhet 630 specifikation.pdf
120A 98V N-kanalförbättringsläge Power MOSFET DH90N045R TO-220C DH90N045R TO-220C 98V 120A Enhet DH90N045RSM2 -specifikation.pdf
P-kanalförbättringsläge Power MOSFET 40A 100V DH100P40D TO-252B DH100P40D TO-252B -100V -40A Enhet Dh100p40D -specifikation.pdf

Produktvideo



  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Registrera dig för vårt nyhetsbrev
  • Gör dig redo för den framtida
    registreringen för vårt nyhetsbrev för att få uppdateringar direkt till din inkorg
    Överlämna
Copyright © 2023Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd Technology av Leadong.com