未命名 (1) (8) (1)
brána
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Nacházíte se zde: Domov » Produkty » Mosfet



Model:
Balík:
PROTI:
A:
Vybrané produktové řady:

MOSFET

obrázku modelu Balíček V a o datovém listu podrobnosti dotaz Přidat do koše
7A 700V N-kanálový režim vylepšení Power MOSFET D7N70 TO-252B D7N70 TO-252B 700V 7a 英文版 D7n70 技术规格书 .pdf
Režim vylepšení n-kanálu Power MOSFET 10A 700V D10N70 TO-252B D10N70 TO-252B 700V 10a 英文版 D10N70 技术规格书 Rev1.0.pdf
2A 650V N-kanálový režim vylepšení Power MOSFET B2N65 B2N65 TO-251B 650V 2a 英文版 B2N65 技术规格书 .pdf
4a 600V N-kanálový režim vylepšení Power MOSFET B4N60 B4N60 TO-251B 600V 4a 英文版 B4N60 技术规格书 .pdf
Režim vylepšení n-kanálu Power MOSFET 4A 800V B4N80 TO-251B B4N80 TO-251B 800V 4a 英文版 B4N80 技术规格书 .pdf
5A 650V N-kanálový režim vylepšení Power MOSFET B5N65 TO-251B B5N65 TO-251B 650V 5a 英文版 B5N65 技术规格书 max.pdf
50A 200V N-kanálový režim vylepšení Power MOSFET F50N20 F50N20 TO-220F 200V 50a Specifikace zařízení F50N20 (1) .pdf
Režim vylepšení n-kanálu Power MOSFET 5A 650V 5N65C TO-220C 5N65C TO-220C 650V 5a 英文版 5N65C 技术规格书 .pdf
8A 650V N-kanálový režim vylepšení Power MOSFET F8N65 TO-220F F8N65 TO-220F 650V 8a F8N65 技术规格书 .pdf
Režim vylepšení n-kanálu Power MOSFET 7A 700V B7N70 TO-251B B7N70 TO-251B 700V 7a 英文版 B7n70 技术规格书 .pdf
Režim vylepšení n-kanálu Power MOSFET 13A 500V E13N50 TO-263 E13N50 TO-263 500V 13a 英文版 E13n50 技术规格书 .pdf
180a 60V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DHS015N06 TO-220C DHS015N06 TO-220C 60V 180a Donghai+DHS015N06 & DHS015N06E+Datasheet+Rev.1.0.pdf
Režim vylepšení n-kanálu Power MOSFET 180A 60V DHS015N06E TO-263 DHS015N06E TO-263 60V 180a Donghai+DHS015N06 & DHS015N06E+Datasheet+Rev.1.0.pdf
Režim vylepšení n-kanálu Power MOSFET 5A 650V D5N65-XAD TO-252B D5N65-XAD TO-252B 650V 5a 英文版 D5N65-XAD 技术规格书 .pdf
13a 100V režim vylepšení P-kanálu Power MOSFET18P10D TO-252B 18P10D TO-252B -100V -13a Zařízení 18P10 Specifikace.pdf
100A 30V N-CANNEL REŽIMEM POWER MOSFET 30H10/30H10F/30H10E/30H10B/30H10K 30H10/30H10F/30H10E/30H10B/30H10K
18A 200V N-kanálový režim vylepšení Power MOSFET D18N20 TO-252B D18N20 TO-252B 200V 18a Zařízení D18N20 Specifikace Rev.1.0.pdf
9A 200V N-kanálový režim vylepšení Power MOSFET D630 TO-252B D630 TO-252B 200V 9a Zařízení 630 Specifikace.pdf
120a 98V N-kanálový režim vylepšení Power MOSFET DH90N045R TO-220C DH90N045R TO-220C 98v 120a Zařízení DH90N045RSM2 Specifikace.pdf
Režim vylepšení P-kanálu Power MOSFET 40A 100V DH100P40D TO-252B DH100P40D TO-252B -100V -40a Zařízení DH100P40D Specification.pdf

Video produktu



  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Zaregistrujte se do našeho zpravodaje
  • Připravte se na budoucnost
    Zaregistrujte se do našeho zpravodaje a získejte aktualizace přímo do vaší doručené pošty
    Předložit
Copyright © 2023Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd Technology by Leadong.com