未命名 (1) (8) (1)
portti
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Olet tässä: Kotiin » Tuotteet » Mosfet



Malli:
Paketti:
V:
V:
Valitut tuotelinjat:

Mosfet

Kuvamallipaketti ​ ​ v taulutaulutiedot ​ Kysely koriin Lisää
7A 700V N-kanavan parannusmoodi Power MOSFET D7N70 TO-252B D7N70 TO-252B 700 V 7a 英文版 D7N70 技术规格书 .pdf
N-kanavan parannusmoodi Power MOSFET 10A 700V D10N70 TO-252B D10N70 TO-252B 700 V 10a 英文版 D10N70 技术规格书 Rev1.0.pdf
2A 650 V N-kanavan parannusmoodi Power MOSFET B2N65 B2N65 TO-251B 650 V 2a 英文版 B2N65 技术规格书 .pdf
4A 600V N-kanavan parannusmoodi Power MOSFET B4N60 B4N60 TO-251B 600 V 4a 英文版 B4N60 技术规格书 .pdf
N-kanavan parannusmoodi Power MOSFET 4A 800V B4N80 TO-251B B4N80 TO-251B 800 V 4a 英文版 B4N80 技术规格书 .pdf
5A 650 V N-kanavan parannusmoodi Power MOSFET B5N65 TO-251B B5N65 TO-251B 650 V 5a 英文版 B5N65 技术规格书 Max.pdf
50A 200 V N-kanavan parannusmoodi Power MOSFET F50N20 F50N20 TO-220F 200 V 50a Laite F50N20 -määritys (1) .pdf
N-kanavan parannusmoodi Power MOSFET 5A 650V 5N65C TO-220C 5N65C TO-220C 650 V 5a 英文版 5n65c 技术规格书 .pdf
8A 650 V N-kanavan parannusmoodi Power MOSFET F8N65 TO-220F F8N65 TO-220F 650 V 8a F8n65 技术规格书 .pdf
N-kanavan parannusmoodi MOSFET 7A 700V B7N70 TO-251B B7N70 TO-251B 700 V 7a 英文版 B7N70 技术规格书 .pdf
N-kanavan parannusmoodi Power MOSFET 13A 500V E13N50 TO-263 E13N50 TO-263 500 V 13a 英文版 e13n50 技术规格书 .pdf
180A 60V N-kanavan parannusmoodi Power MOSFET DHS015N06 TO-220C DHS015N06 TO-220C 60 V 180a Donghai+DHS015N06 & DHS015N06E+
N-kanavan parannusmoodi Power MOSFET 180A 60V DHS015N06E TO-263 DHS015N06E TO-263 60 V 180a Donghai+DHS015N06 & DHS015N06E+
N-kanavan parannusmoodi Power MOSFET 5A 650V D5N65-XAD TO-252B D5N65-Xad TO-252B 650 V 5a 英文版 D5n65-xad 技术规格书 .pdf
13A 100V P-kanavan parannustila Power MOSFET18P10D TO-252B 18P10d TO-252B -100V -13a Laite 18P10 Specification.pdf
100A 30 V N-kanavan parannusmoodi MOSFET 30H10/30H10F/30H10E/30H10B/30H10K 30H10/30H10F/30H10E/30H10B/30H10K
18A 200 V N-kanavan parannusmoodi Power MOSFET D18N20 TO-252B D18N20 TO-252B 200 V 18a Laite D18N20 Specification Rev.1.0.pdf
9A 200 V N-kanavan parannusmoodi Power MOSFET D630 TO-252B D630 TO-252B 200 V 9a Laite 630 Specification.pdf
120A 98V N-kanavan parannusmoodi Power MOSFET DH90N045R TO-220C DH90N045R TO-220C 98 V 120a Laite DH90N045RSM2 Specification.pdf
P-kanavan parannusmoodi MOSFET 40A 100 V DH100P40D TO-252B DH100P40D TO-252B -100V -40A Laite DH100P40D Specification.pdf

Tuotevideo



  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Rekisteröidy uutiskirjeemme
  • Valmistaudu tulevaisuuteen
    rekisteröityäksesi uutiskirjeemme saadaksesi päivitykset suoraan postilaatikkoosi
    Lähettää
Copyright © 2023Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd -tekniikka by Leang.com