portti
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Olet tässä: Kotiin » Tuotteet » MOSFET » 12V-300V N MOS » 180A 85V N-kanavainen lisälaitetila Virta MOSFET DSG041N08NA TO-220C

lastaus

Jaa:
Facebookin jakamispainike
Twitterin jakamispainike
linjan jakamispainike
wechatin jakamispainike
linkedinin jakamispainike
pinterestin jakamispainike
whatsapp jakamispainike
jaa tämä jakamispainike

180A 85V N-kanavainen lisätila Virta MOSFET DSG041N08NA TO-220C

Nämä N-kanavan tehostustilan tehomosfetit käyttivät edistynyttä splitte gate -kaivannon tekniikkaa, tarjoten erinomaisen Rdson-latauksen ja alhaisen porttilatauksen. Joka on RoHS-standardin mukainen
Saatavuus:
Määrä:

180A 85V N-kanavainen parannustilan teho MOSFET


1 Kuvaus

Nämä N-kanavan tehostustilan tehomosfetit käyttivät edistynyttä splitte gate -kaivannon tekniikkaa, tarjoten erinomaisen Rdson-latauksen ja alhaisen porttilatauksen. Joka on RoHS-standardin mukainen. 


2 Ominaisuudet

● Nopea vaihto

● Alhainen vastus

● Matala portin lataus 

● Suuri lumivyöryvirta 

● Alhaiset paluusiirtokapasitanssit

● 100 % yhden pulssin lumivyöryenergiatesti 

● 100 % ΔVDS-testi 


3 Sovellukset 

● Synkroninen tasasuuntaus SMPS:ssä

● Kova kytkentä ja suurnopeuspiiri

● Sähkötyökalut

● UPS 

● Moottorin ohjaus

VDSS RDS(päällä)(TYP) ID
85V 3,4 mΩ 180A


Edellinen: 
Seuraavaksi: 
  • Tilaa uutiskirjeemme
  • Valmistaudu tulevaan
    tilaamalla uutiskirjeemme saadaksesi päivitykset suoraan sähköpostiisi