未命名 (1) (8) (1)
puerta
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Estás aquí: Hogar » Productos » » Mosfet » 12V-300V N MOS » 180A 85V N-canal Modo de mejora de la potencia MOSFET DSG041N08NA TO-220C

cargando

Compartir a:
botón de intercambio de Facebook
botón de intercambio de Twitter
botón de intercambio de línea
botón de intercambio de WeChat
botón de intercambio de LinkedIn
botón de intercambio de Pinterest
Botón de intercambio de whatsapp
botón compartido de compartir Sharethis

180A 85V Modo de mejora del canal MOSFET MOSFET DSG041N08NA TO-220C

Estos Mosfets de potencia de potencia de modo de mejora del canal N utilizaron un diseño de tecnología de trinchera de compuerta de espíritu avanzada, proporcionó una excelente carga de Rdson y baja puerta. Que concuerda con la
disponibilidad estándar de ROHS:
cantidad:
Preguntar Agregar a la canasta

180A 85V MODANCO DE MEDIA DE MEJORA DEL CANNO MOSFET


1 descripción

Estos Mosfets de potencia de potencia de modo de mejora del canal N utilizaron un diseño de tecnología de trinchera de compuerta de espíritu avanzada, proporcionó una excelente carga de Rdson y baja puerta. Que concuerda con el estándar ROHS. 


2 características

● Cambio rápido

● Bajo en resistencia

● carga de puerta baja 

● Corriente de alta avalancha 

● Capacitancias de transferencia inversa bajas

● Prueba de energía de avalancha de pulso 100% 100% 

● Prueba de 100% ΔVDS 


3 aplicaciones 

● Rectificación sincrónica en SMPS

● Circuito de conmutación dura y alta velocidad

● Herramientas eléctricas

● UPS 

● Control de motor

VDSS RDS (ON) (typ) IDENTIFICACIÓN
85V 3.4mΩ 180A


Anterior: 
Próximo: 
Mosfet
  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Regístrese para nuestro boletín
  • Prepárese para el futuro
    Regístrese para nuestro boletín para obtener actualizaciones directamente a su bandeja de entrada
    Entregar
Copyright © 2023Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd Technology by Leadong.com