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180A 85V N-Kanal-Verbesserungsmodus MOSFET DSG041N08NA TO-220C

Diese N-Channel-Verbesserungsmodus-MOSFETs verwendeten fortschrittliche Splite-Gate-Graben-Technologie-Design und bildeten eine hervorragende RDSON- und niedrige Gate-Ladung. Die mit der ROHS -Standardverfügbarkeit übereinstimmen
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180a 85 V N-Kanal-Verbesserungsmodus Power MOSFET


1 Beschreibung

Diese N-Channel-Verbesserungsmodus-MOSFETs verwendeten fortschrittliche Splite-Gate-Graben-Technologie-Design und bildeten eine hervorragende RDSON- und niedrige Gate-Ladung. Das entspricht dem ROHS -Standard. 


2 Merkmale

● schnelles Umschalten

● Niedrig des Widerstands

● Ladung mit niedriger Gate 

● hoher Lawinenstrom 

● Niedrige Umkehrtransferkapazität

● 100% Einzelpuls -Avalanche -Energietest 

● 100% ΔVDS -Test 


3 Anwendungen 

● Synchrone Korrektur in SMPs

● Hartschalter und Hochgeschwindigkeitskreislauf

● Elektrowerkzeuge

● ups 

● Motorsteuerung

VDSS RDS (ON) (Typ) AUSWEIS
85 V 3,4 mΩ 180a


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