未命名 (1) (8) (1)
brama
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Jesteś tutaj: Dom » Produkty » Mosfet » 12V-300V N MOS » 180a 85V N-kanał NEGOLATNY MOC MOSFET DSG041N08NA TO-220C

załadunek

Udostępnij do:
Przycisk udostępniania na Facebooku
Przycisk udostępniania na Twitterze
Przycisk udostępniania linii
Przycisk udostępniania WeChat
Przycisk udostępniania LinkedIn
Przycisk udostępniania Pinterest
przycisk udostępniania WhatsApp
przycisk udostępniania shaRethis

180A 85 V Tryb wzmacniający N-Kannel Moc MOSFET DSG041N08NA TO-220C

Te MOSFET MOSFETS Ulepszenia N-kanałów zastosowano zaawansowany projekt technologii wykopów SPLITE BATE, zapewnił doskonały ładunek RDSON i niski ładunek bramki. Co jest zgodne ze standardową
dostępnością ROHS:
Ilość:
Pytać się Dodaj do kosza

180A 85 V Tryb wzmacniający kanał N MOSFET


1 Opis

Te MOSFET MOSFETS Ulepszenia N-kanałów zastosowano zaawansowany projekt technologii wykopów SPLITE BATE, zapewnił doskonały ładunek RDSON i niski ładunek bramki. Co jest zgodne ze standardem Rohs. 


2 funkcje

● Szybkie przełączanie

● Niskie opór

● Niski ładunek bramki 

● Wysoki prąd lawinowy 

● Niskie pojemności transferu odwrotnego

● 100% testu energii lawinowej pojedynczej pulsu 

● Test 100% ΔVDS 


3 aplikacje 

● Synchroniczna rektyfikacja w SMPS

● Przełączanie twardych i obwód dużej prędkości

● Elektrownie

● UPS 

● Kontrola silnika

VDSS RDS (ON) (Typ) ID
85 V. 3,4 mΩ 180a


Poprzedni: 
Następny: 
Mosfet
  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Zarejestruj się w naszym biuletynie
  • Przygotuj się na przyszłą
    rejestrację na nasz biuletyn, aby uzyskać aktualizacje bezpośrednio do skrzynki odbiorczej
    Składać
Copyright © 2023Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd Technology by Leadong.com