未命名(1)(8) (1)
brama
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Jesteś tutaj: Dom » Produkty » MOSFET » 12V-300V N MOS
Model:
Pakiet:
V:
A:
WYBRANE LINIE PRODUKTOWE:

12V-300V N-MOS

Obraz Model Pakiet V A Karta katalogowa Szczegóły Zapytanie Dodaj do koszyka
220A 20V N-kanałowy tryb wzmocnienia Moc MOSFET DH009N02P DFN5*6-8 DH009N02P DFN5*6-8 20 V 220A Specyfikacja urządzenia DH009N02P.pdf
MOSFET mocy w trybie N, 320 A, 20 V DH009N02U
30A 30V N-kanałowy tryb wzmocnienia Moc MOSFET DH081N03R DFN3*3-8 DH081N03R DFN3*3-8 30 V 30A Specyfikacja urządzenia DH081N03R.pdf
200V/11mΩ/110A N-MOSFET DSN108N20N TO-3PN DSN108N20N TO-3PN 200 V 110A Donghai_DSN108N20N_Datasheet_V1.0.pdf
180A 85V N-kanałowy tryb wzmocnienia Moc MOSFET DSD040N08N3A TO-252B DSD040N08N3A TO-252B 85 V 180A Urządzenie+DSD040N08N3A+Specyfikacja+Rev.1.0.pdf
310A 20V N-kanałowy tryb wzmocnienia Moc MOSFET DH009N02 TO-220C DH009N02 TO-220C 20 V 310A Specyfikacja urządzenia DH009N02.pdf
Tryb wzmocnienia kanału N Moc MOSFET 120A 100V DH10H035R TO-220C DH10H035R TO-220C 100 V 120A Specyfikacja urządzenia DH10H035R.pdf
60A 30V N-kanałowy tryb wzmocnienia Moc MOSFET DH081N03D TO-252B DH081N03D TO-252B 30 V 60A Specyfikacja urządzenia DH081N03.pdf
175A 80V N-kanałowy tryb wzmocnienia Moc MOSFET DHS035N88E TO-263 DHS035N88E TO-263 80 V 175A Donghai_DHS035N88&DHS035N88E&DHS035N88I_DataSheet_V2.0.pdf
320A 30V N-kanałowy tryb wzmocnienia Moc MOSFET DH012N03 TO-220C DH012N03 TO-220C 30 V 320A Specyfikacja urządzenia DH012N03.pdf
Tryb wzmocnienia kanału N Moc MOSFET 180A 40V DHS020N04D TO-252B DHS020N04D TO-252B 40 V 180A Specyfikacja urządzenia DHS020N04D.pdf
60A 68V N-kanałowy tryb wzmocnienia Moc MOSFET DHF50N06 TO-220F DHF50N06 TO-220F 68 V 60A Specyfikacja urządzenia 50N06B34.pdf
100A 85V N-kanałowy tryb wzmocnienia Moc MOSFET DH85N08 TO-220C DH85N08 TO-220C 85 V 100A Specyfikacja urządzenia DH85N08.pdf
105A 68V N-kanałowy tryb wzmocnienia Moc MOSFET DHS055N07E TO-263 DHS055N07E TO-263 68 V 105A Donghai+DHS055N07 i DHS055N07E+karta katalogowa+V2.0.pdf
49A 80V N-kanałowy MOSFET mocy w trybie wzmocnienia DH116N08D TO-252B 80 V 49A Specyfikacja urządzenia DH116N08.pdf
35A 120 V tryb wzmocnienia kanału N MOSFET mocy DSD270N12N3 TO-252B DSD270N12N3 TO-252B 120 V 35A Urządzenie+DSD270N12N3+Specyfikacja+Rev.1.0.pdf
320A 30V N-kanałowy tryb wzmocnienia Moc MOSFET DH012N03D TO-252B DH012N03D TO-252B 30 V 320A Specyfikacja urządzenia DH012N03.pdf
60A 68V N-kanałowy tryb wzmocnienia Moc MOSFET DH105N07P DFN5*6-8 DH105N07P DFN5*6-8 70 V 56A Donghai_DH105N07P_Datasheet_V1.0 (1).pdf
12A 100V N-kanałowy tryb wzmocnienia Moc MOSFET DH850N10D TO-252B DH850N10D TO-252B 100 V 12A Specyfikacja urządzenia DH850N10D (1).pdf
30A 60V N-kanałowy tryb wzmocnienia Moc MOSFET DHDZ24 TO-252B DHDZ24 TO-252B 60 V 30A Specyfikacja urządzenia DHZ24B31.pdf

Film o produkcie

  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Zapisz się na nasz newsletter
  • przygotuj się na przyszłość
    zapisz się do naszego newslettera, aby otrzymywać aktualizacje prosto na swoją skrzynkę odbiorczą
    Składać
Prawa autorskie © 2023​​​​​​​ Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd Technologia firmy leadong.com