未命名(1)(8) (1)
brama
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Jesteś tutaj: Dom » Produkty » MOSFET » 12V-300V N MOS
Model:
Pakiet:
V:
A:
WYBRANE LINIE PRODUKTOWE:

12 V-300 V N-MOS

Obraz Model Pakiet V A Karta katalogowa Szczegóły Zapytanie Dodaj do koszyka
100V/8mΩ/68A N-MOSFET DSD090N10L3A TO-252B DSD090N10L3A TO-252B 100 V 68A DSD090N10L3A_Arkusz danych_V1.0.pdf
238A 60V N-kanałowy tryb wzmocnienia Moc MOSFET DH026N06 TO-220C DH026N06 TO-220C 60 V 238A Specyfikacja urządzenia DH026N06.pdf
180A 80V N-kanałowy tryb wzmocnienia Moc MOSFET DH029N08 TO-220C DH029N08 TO-220C 80 V 180A Specyfikacja urządzenia DH029N08.pdf
135 V/3,3 mΩ/225 A N-MOSFET DSU035N14N3 Pakiet płatny DSU035N14N3 MYTO 135 V 225A DSU035N14N3_Arkusz danych_V2.0.pdf
120V/12mΩ/70A N-MOSFET DSG140N12N3 TO-220C DSG140N12N3 120 V 70A DSG140N12N3 i DSE140N12N3_Arkusz danych_V1.0.pdf
145A 30V N-kanałowy tryb wzmocnienia Moc MOSFET DH028N03D TO-252B DH028N03D TO-252B 30 V 145A Specyfikacja urządzenia DH028N03.pdf
90A 40V N-kanałowy tryb wzmocnienia Moc MOSFET DH045N04D TO-252B DH045N04D TO-252B 100 V 50A Specyfikacja urządzenia DH045N04.pdf

Film o produkcie

  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Zapisz się na nasz newsletter
  • przygotuj się na przyszłość
    zapisz się do naszego newslettera, aby otrzymywać aktualizacje prosto na swoją skrzynkę odbiorczą
    Składać
Prawa autorskie © 2023​​​​​​​ Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd Technologia firmy leadong.com