未命名(1)(8) (1)
brama
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Jesteś tutaj: Dom » Produkty » MOSFET » 12V-300V N MOS
Model:
Pakiet:
V:
A:
WYBRANE LINIE PRODUKTOWE:

12 V-300 V N-MOS

Obraz Model Pakiet V A Karta katalogowa Szczegóły Zapytanie Dodaj do koszyka
120A 40V N-kanałowy tryb wzmocnienia Moc MOSFET DTE043N04NA TO-263 DTE043N04NA TO-263 40 V 120A Urządzenie+DTG045N04NA i DTE043N04NA+Specyfikacja+Rev.1.0.pdf
Tryb wzmocnienia kanału N Moc MOSFET 180A 40V DHS020N04 TO-220C DHS020N04 TO-220C 40 V 180A Specyfikacja urządzenia DHS020N04.pdf
40 V/4,5 mΩ/40 A N-MOSFET DSR070N04LA DSR070N04LA
DHS051N10P DFN5X6 DHS051N10P DFN5X6 100 V 108A Specyfikacja urządzenia DHS051N10P(2).pdf
68V/7,2mΩ/80A N-MOSFET DTD080N07N TO-252B DTD080N07N TO-252B 68 V 80A Donghai_DTD080N07N_Datasheet_V1.0.pdf
100V/8mΩ/68A N-MOSFET DSD090N10L3A TO-252B DSD090N10L3A TO-252B 100 V 68A Donghai_DSD090N10L3A_Datasheet_V1.0.pdf
180A 40V N-kanałowy tryb wzmocnienia Moc MOSFET DTG018N04N To-220C DTG018N04N TO-220C 40 V 180A DongHai DTG018N04N i DTJ018N04N Karta katalogowa Rev.1.0 .pdf
18A 200V N-kanałowy tryb wzmocnienia Moc MOSFET DH640 TO-220C DH640 TO-220C 200 V 18A Specyfikacja urządzenia 640.pdf
12A 100V N-kanałowy MOSFET mocy w trybie wzmocnienia B12N10/D12N10
DHS052N10P DFN5X6 DHS052N10P DFN5*6-8 100 V 99A Specyfikacja urządzenia DHS052N10P.pdf
100V/5,5mΩ/100AN-MOSFET DSD065N10L3A TO-252 DSD065N10L3A TO-252B 100 V 100A Donghai_DSD065N10L3A_Datasheet_V1.0.pdf
250A 40V N-kanałowy tryb wzmocnienia Moc MOSFET DH019N04 TO-220C DH019N04 TO-220C 40 V 250A Specyfikacja urządzenia DH019N04.pdf
DSE058N15NA TO-263 DSE058N15NA TO-263 150 V 150A Donghai+DSE058N15NA+arkusz danych+V2.0.pdf
200A 40V N-kanałowy MOSFET mocy w trybie wzmocnienia D1404/FD1404/ED1404
60A 68V N-kanałowy tryb wzmocnienia Moc MOSFET DH105N07D TO-252B DH105N07D TO-252B 68 V 60A Specyfikacja urządzenia DH105N07.pdf
238A 60V N-kanałowy tryb wzmocnienia Moc MOSFET DH026N06 TO-220C DH026N06 TO-220C 60 V 238A Specyfikacja urządzenia DH026N06.pdf
PAKIET 40V/0,85mΩ/200A N-MOSFET DSE012N04NA TO-263 DSE012N04NA TO-263 40 V 200A Donghai_DSE012N04NA_Datasheet_V1.0.pdf
100 V/2,2 mΩ/180 A N-MOSFET DSE026N10N3A TO-263 DSE026N10N3A TO-263 100 V 180A Donghai_DSE026N10N3A_Datasheet_V1.0.pdf
Tryb wzmocnienia kanału N Moc MOSFET 100A 85V DH050N85 / DH050N85E
270A 120V N-kanałowy tryb wzmocnienia Moc MOSFET DHS044N12U PAKIET OPŁAT DHS044N12U MYTO 120 V 270A Donghai_DHS044N12U_Arkusz danych_V2.0.pdf

Film o produkcie

  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Zapisz się na nasz newsletter
  • przygotuj się na przyszłość
    zapisz się do naszego newslettera, aby otrzymywać aktualizacje prosto na swoją skrzynkę odbiorczą
    Składać
Prawa autorskie © 2023​​​​​​​ Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd Technologia firmy leadong.com