未命名(1)(8) (1)
brána
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Nacházíte se zde: Domov » Produkty » MOSFET » 12V-300V N MOS
Model:
Balík:
PROTI:
A:
VYBRANÉ PRODUKTOVÉ ŘADY:

12V-300V N MOS

Obrázek Model Balení V A Technický list Podrobnosti Poptávka Přidat do košíku
Výkonový MOSFET 116A 68V N-channel Enhancement Mode DH070N07 TO-220C 70V 100A DH070N07(T0F)_Datový list_V1.0.pdf
80A 68V N-kanálový režim Enhancement Mode Power MOSFET DH072N07D TO-252B DH072N07D TO-252B 68V 80A Specifikace zařízení DH072N07.pdf
DH030N03
96A 100V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET DFN5X6 DSP051N10N DFN5*6-8 100V 96A Specifikace zařízení DSP051N10N Rev.1.0.pdf
80A 60V N-kanálový režim Enhancement Mode Power MOSFET DHS065N06P DFN5X6 DHS065N06P
120A 90V N-kanálový režim Enhancement Mode Power MOSFET DH90N055R TO-220C DH90N055R TO-220C 90V 120A Specifikace zařízení DH90N055R.pdf
112A 85V N-kanálový režim vylepšení výkonu MOSFET DHS043N85P DFN5X6 DHS043N85P DFN5*6 85V 112A Specifikace zařízení DHS043N85P-Rev.1.0.pdf
200V/11mΩ/110A N-MOSFET DSG108N20NA TO-220C DSG108N20NA TO-220C 200V 110A DSG108N20NA_Datasheet_V1.0.pdf
108A 85V N-kanálový režim vylepšení výkonu MOSFET DHS042N85P DFN5*6-8 DHS042N85P DFN5*6-8 85V 108A DHS042N85P_Datasheet_v1.0.pdf
100V/5,2mΩ/95A N-MOSFET DSP070N10L3A DFN5X6 DSP070N10L3A DFN5X6 100V 95A DSP070N10L3A_Datasheet_V1.0.pdf
220A 40V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET DTE025N04NA TO-263 DTE025N04NA TO-263 40V 220A Specifikace zařízení DTE025N04NA&DTG025N04NA Rev.1.0.pdf
100A 30V N-kanálový režim Enhancement Mode Power MOSFET DH033N03D TO-252B DH033N03D TO-252B 30V 100A Specifikace zařízení DH033N03(1).pdf
100A 30V N-kanálový režim Enhancement Mode Power MOSFET DHP150N03 DFN5X6 DHP150N03 DFN5X6 30V 100A Specifikace zařízení DHP150N03(1).pdf
120A 98V N-kanálový režim Enhancement Mode Power MOSFET DH90N045R TO-220C DH90N045R TO-220C 98V 120A Zařízení DH90N045RSM2 Specifikace.pdf
N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 150A 150V DSG059N15NA TO-220C DSG059N15NA TO-220C 150V 150A Specifikace zařízení DSG059N15NA.pdf
120A 85V N-kanálový režim vylepšení výkonu MOSFET DSG048N08N3 TO-220C DSG048N08N3 TO-220C 85V 125A Zařízení+DSG048N08N3+Specifikace+Rev.1.0.pdf
100A 30V N-kanálový režim vylepšení výkonu MOSFET 30H10/30H10F/30H10E/30H10B/30H10K 30H10/30H10F/30H10E/30H10B/30H10K
100V/15mΩ/50A N-MOSFET DSD190N10L3 TO-252B DSD190N10L3 TO-252B 100V 50A DSD190N10L3&DSB190N10L3_Datasheet_V1.0.pdf
18A 200V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET D18N20 TO-252B D18N20 TO-252B 200V 18A Specifikace zařízení D18N20 Rev.1.0.pdf
N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 150A 150V DHS042N15 DHS042N15 TO-220C 150V 150A DHS042N15&DHS042N15E_Datasheet_V2.0 (1).pdf

Video o produktu

  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Přihlaste se k odběru našeho newsletteru
  • připravte se na budoucí
    přihlášení k odběru našeho newsletteru, abyste dostávali aktualizace přímo do vaší schránky
    Předložit
Copyright © 2023​​​​​​​ Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd Technology by leadong.com