未命名(1)(8) (1)
brána
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Nacházíte se zde: Domov » Produkty » MOSFET » 12V-300V N MOS
Model:
Balík:
PROTI:
A:
VYBRANÉ PRODUKTOVÉ ŘADY:

12V-300V N MOS

Obrázek Model Balení V A Technický list Podrobnosti Poptávka Přidat do košíku
90A 40V N-kanálový režim Enhancement Mode Power MOSFET DH045N04 TO-220C DH045N04 TO-220C 40V 90A Specifikace zařízení DH045N04.pdf
170A 100V N-kanálový režim Enhancement Mode Power MOSFET DSE028N10N3 TO-263 DSE028N10N3 TO-263 100V 170A Donghai_DSG030N10N3&DSE028N10N3_Datasheet_V1.0.pdf
100A 60V N-kanálový režim Enhancement Mode Power MOSFET DH066N06 TO-220C DH066N06 TO-220C 60V 100A Donghai_DH066N06D_Datasheet_V2.0.pdf
N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 145A 60V DH045N06D TO-252B DH045N06 TO-220C 60V 145A Specifikace zařízení DH045N06.pdf
135V/3,3mΩ/225A N-MOSFET DSU035N14N3 Mýtný balíček DSU035N14N3 MÝTNÉ 135V 225A Donghai_DSU035N14N3_Datasheet_V2.0.pdf
90A 40V N-kanálový režim Enhancement Mode Power MOSFET DH045N04D TO-252B DH045N04D TO-252B 100V 50A Specifikace zařízení DH045N04.pdf
120V/12mΩ/70A N-MOSFET DSG140N12N3 TO-220C DSG140N12N3 120V 70A Donghai_DSG140N12N3&DSE140N12N3_Datasheet_V1.0.pdf
180A 80V N-kanálový režim Enhancement Mode Power MOSFET DH029N08 TO-220C DH029N08 TO-220C 80V 180A Specifikace zařízení DH029N08.pdf
120A 60V N-kanálový režim Enhancement Mode Power MOSFET DH065N06/DH065N06E/DH065N06D/DH065N06P DH065N06 TO-220C 60V 120A Zařízení+DH065N06+Specifikace+Rev.2.0.pdf
N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 120A 98V DHS045N98 TO-220C DHS045N98 TO-220C 98V 120A Specifikace zařízení DHS045N98-Rev.1.0.pdf
Výkonový MOSFET 180A 68V N-channel Enhancement Mode DHS026N06/DHS026N06F/DHS026N06E
100A 68V N-kanálový režim Enhancement Mode Power MOSFET DH3205A TO-220C DH3205A TO-220C 68V 100A Specifikace zařízení DH3205A.pdf
N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 120A 30V DH030N03B41/DH030N03FB41/ DH030N03EB41/DH030N03BB41/DH030N03DB41
145A 30V N-kanálový režim Enhancement Mode Power MOSFET DH028N03D TO-252B DH028N03D TO-252B 30V 145A Specifikace zařízení DH028N03.pdf
100V/2,2mΩ/180A N-MOSFET DSE026N10N3A TO-263 DSE026N10N3A TO-263 100V 180A Donghai_DSE026N10N3A_Datasheet_V1.0.pdf
40V/0,85mΩ/200A N-MOSFET DSE012N04NA TO-263 BALENÍ DSE012N04NA TO-263 40V 200A Donghai_DSE012N04NA_Datasheet_V1.0.pdf
270A 120V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET DHS044N12U TOLL BALÍČEK DHS044N12U MÝTNÉ 120V 270A Donghai_DHS044N12U_Datasheet_V2.0.pdf
59A 100V N-kanálový režim Enhancement Mode Power MOSFET 60N10 TO-220C 60N10 TO-220C 100V 59A Specifikace zařízení 60N10B76(1).pdf
100A 30V N-kanálový režim Enhancement Mode Power MOSFET DH012N03P DFN5*6 DH012N03P DFN5X6 30V 100A Donghai_DH012N03P_Datasheet_V2.0.pdf
DSG070N10L3 TO-220 DSG070N10L3 TO-220C 100V 100A Donghai_DSG070N10L3_Datasheet_V1.0+.pdf

Video o produktu

  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Přihlaste se k odběru našeho newsletteru
  • připravte se na budoucí
    přihlášení k odběru našeho newsletteru, abyste dostávali aktualizace přímo do vaší schránky
    Předložit
Copyright © 2023​​​​​​​ Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd Technology by leadong.com