未命名(1)(8) (1)
brána
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Nacházíte se zde: Domov » Produkty » MOSFET » 12V-300V N MOS
Model:
Balík:
PROTI:
A:
VYBRANÉ PRODUKTOVÉ ŘADY:

12V-300V N MOS

Obrázek Model Balení V A Technický list Podrobnosti Poptávka Přidat do košíku
100V/1,5mΩ/240A N-MOSFET DSC018N10N TO-247 DSC018N10N TO-247 100V 240A Donghai_DSC018N10N_Datasheet_V1.0.pdf
85A 80V N-kanálový režim vylepšení výkonu MOSFET DH075N08 TO-220C DH075N08 TO-220C 80V 95A Donghai_DH075N08&DH075N08E_Datasheet_V2.0.pdf
170A 40V N-kanálový režim Enhancement Mode Power MOSFET DHS020N04P DFN5*6 DHS020N04P DFN5*6-8 40V 170A Specifikace zařízení DHS020N04P Rev.2.0.pdf
80A 40V N-kanálový režim Enhancement Mode Power MOSFET DH065N04D TO-252B DH065N04D TO-252B 40V 80A Specifikace zařízení DH065N04.pdf
175A 80V N-k DHS035N88 TO-220C 80V 175A Donghai_DHS035N88&DHS035N88E&DHS035N88I_DataSheet_V2.0.pdf
240A 85V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET DHS020N88U TOLL balíček DHS020N88U MÝTNÉ 85V 285A Donghai_DHS020N88U_Datasheet_V2.0.pdf
12A 60V N-kanálový režim Enhancement Mode Power MOSFET D12N06 TO-252 D12N06 TO-252B 60V 12A Specifikace zařízení D12N06(TO-252B).pdf
205A 85V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET DHS025N88 TO-263 DHS025N88E TO-263 85V 205A Specifikace zařízení DHS025N88.pdf
20A 100V N-kanálový režim Enhancement Mode Power MOSFET DHS400N10D TO-252B DHS400N10D TO-252B 100V 20A Donghai_DHS400N10D_Datasheet_V2.0 .pdf
170A 30V N-kanálový režim Enhancement Mode Power MOSFET DHS010N03P DFN5X6 DHS010N03P
120A 98V N-kanálový režim Enhancement Mode Power MOSFET DHS046N10D TO-252B DHS046N10D TO-252B 98V 120A Specifikace zařízení DHS046N10.pdf
220A 40V N-kanálový režim Enhancement Mode Power MOSFET DTG025N04NA TO-220C DTG025N04NA TO-220C 40V 220A Specifikace zařízení DTE025N04NA&DTG025N04NA Rev.1.0.pdf
100A 100V N-kanálový režim vylepšení Power MOSFET DHS065 TO-220C 100V 95A Zařízení+DHS065N10+Specifikace+Rev.2.0.pdf
155A 40V N-kanálový režim Enhancement Mode Power MOSFET DH035N04 TO-220C DH035N04 TO-220C 40V 155A Specifikace zařízení DH035N04.pdf
110A 60V N-kanálový režim Enhancement Mode Power MOSFET DH065N06D TO-252B DH065N06D TO-252B 60V 110A Donghai_DH065N06D_Datasheet_V2.0.pdf
N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 110A 100V DHS052N10E TO-263 DHS052N10E TO-263 100V 110A Specifikace zařízení DHS052N10.pdf
N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 120A 85V DHS045N88D TO-252B DHS045N88 TO-220C 85V 120A Specifikace zařízení DHS045N88-Rev.1.0.pdf
N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 120A 85V DHS045N88E TO-263 DHS045N88E TO-263 85V 120A Specifikace zařízení DHS045N88-Rev.1.0.pdf
N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 110A 100V DHS052N10F TO-220F DHS052N10F TO-220F 100V 110A Specifikace zařízení DHS052N10.pdf
N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 68A 100V DH140N10F TO-220F DH140N10F TO-220F 100V 68A Donghai_DH140N10B&DH140N10D_Datasheet_V1.0.pdf

Video o produktu

  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Přihlaste se k odběru našeho newsletteru
  • připravte se na budoucí
    přihlášení k odběru našeho newsletteru, abyste dostávali aktualizace přímo do vaší schránky
    Předložit
Copyright © 2023​​​​​​​ Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd Technology by leadong.com