未命名 (1) (8) (1)
brána
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Nacházíte se zde: Domov » Produkty » » MOSFET » 12V-300V n mos » 120a 98V N-kanálový režim vylepšení Power MOSFET DHS046N10D TO-252B

načítání

Sdílet na:
Tlačítko sdílení Facebooku
tlačítko sdílení Twitteru
Tlačítko sdílení linky
Tlačítko sdílení WeChat
tlačítko sdílení LinkedIn
Tlačítko sdílení Pinterestu
tlačítko sdílení WhatsApp
Tlačítko sdílení Sharethis

120a 98V N-kanálový režim vylepšení Power MOSFET DHS046N10D TO-252B

120A 98V N-kanálový režim vylepšení napájení MOSFET
Dostupnost:
Množství:
Zeptejte se Přidejte do koše

120a 98V N-kanálový režim vylepšení napájení MOSFET


1 Popis 

Tyto režim vylepšení N-kanálů Power MOSFETS používal technologický design Advanced Splite Gate Trench Technology, poskytoval vynikající náboj RDSON a nízký brány. Který v souladu se standardem ROHS. 


2 funkce 

● Rychlé přepínání 

● nízký odpor 

● Nízký náboj brány 

● proud s vysokou lavinou

● nízký reverzní přenos kapacity 

● 100% test na lavinu s jedním pulsem

● Test 100% ΔVDS 


3 aplikace 

● Synchronní náprava v SMPS

● Přepínání pevného a vysokorychlostního obvodu

● Power Tools

● UPS 

● Řízení motoru


Vds Rds (on) typ. Id
98v 4,6 mΩ 120a


Předchozí: 
Další: 
120a 98V N-kanálový režim vylepšení napájení MOSFET
  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Zaregistrujte se do našeho zpravodaje
  • Připravte se na budoucnost
    Zaregistrujte se do našeho zpravodaje a získejte aktualizace přímo do vaší doručené pošty
    Předložit
Copyright © 2023Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd Technology by Leadong.com