未命名 (1) (8) (1)
portti
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Olet tässä: Kotiin » Tuotteet » Mosfet » 12 V-300V N MOS » 120A 98V N-kanavan parannustila Power Mosfet DHS046N10D TO-252B

lastaus

Jaa:
Facebook -jakamispainike
Twitterin jakamispainike
linjanjako -painike
WeChatin jakamispainike
LinkedIn -jakamispainike
Pinterestin jakamispainike
WhatsApp -jakamispainike
Sharethisin jakamispainike

120A 98V N-kanavan parannusmoodi Power MOSFET DHS046N10D TO-252B

120A 98V N-kanavan parannusmoodi MOSFET-
saatavuus:
Määrä:
Tiedustella Lisää koriin

120A 98 V N-kanavan parannusmoodi Power Mosfet


1 Kuvaus 

Nämä N-kanavan parannusmoodin teho-mosfetit käyttivät edistyneitä splite-portin trenssiteknologian suunnittelua, tarjosivat erinomaisen RDSONin ja matalan portin varauksen. Joka sopii ROHS -standardiin. 


2 ominaisuutta 

● Nopea kytkentä 

● Pieni vastus 

● Matala porttivaraus 

● Korkea lumivyöryvirta

● Matala käänteinen siirtokapasitanssit 

● 100% yhden pulssin lumivyöryenergiatesti

● 100% AVDD -testi 


3 sovellusta 

● Synkroninen oikaisu SMPS: ssä

● Kova kytkentä ja nopea piiri

● Sähkötyökalut

● UPS 

● Moottorin ohjaus


VDS Rds (on) typ. Henkilöllisyystodistus
98 V 4,6MΩ 120a


Edellinen: 
Seuraava: 
120A 98 V N-kanavan parannusmoodi Power Mosfet
  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Rekisteröidy uutiskirjeemme
  • Valmistaudu tulevaisuuteen
    rekisteröityäksesi uutiskirjeemme saadaksesi päivitykset suoraan postilaatikkoosi
    Lähettää
Copyright © 2023Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd -teknologia by Leang.com