Disponibilidade MOSFET: | |
---|---|
Quantidade: | |
DHS046N10D
Wxdh
DHS046N10D
To-252b
98V
120a
120A 98V Modo de aprimoramento de canal N MOSFET
1 Descrição
Esses MOSFETs de energia de aprimoramento de canal N usavam o design avançado da tecnologia de valas de portão de divisão, forneceram excelente rdson e baixa carga do portão. Que de acordo com o padrão ROHS.
2 recursos
● Comutação rápida
● baixa resistência
● Baixa carga do portão
● Alto avalanche atual
● Capacitâncias de transferência reversa baixa
● Teste de energia de avalanche de pulso 100% único
● Teste 100% ΔVDS
3 aplicações
● Retificação síncrona no SMPS
● Comutação dura e circuito de alta velocidade
● Ferramentas elétricas
● UPS
● Controle do motor
Vds | Rds (on) Typ. | EU IA |
98V | 4.6mΩ | 120a |
120A 98V Modo de aprimoramento de canal N MOSFET
1 Descrição
Esses MOSFETs de energia de aprimoramento de canal N usavam o design avançado da tecnologia de valas de portão de divisão, forneceram excelente rdson e baixa carga do portão. Que de acordo com o padrão ROHS.
2 recursos
● Comutação rápida
● baixa resistência
● Baixa carga do portão
● Alto avalanche atual
● Capacitâncias de transferência reversa baixa
● Teste de energia de avalanche de pulso 100% único
● Teste 100% ΔVDS
3 aplicações
● Retificação síncrona no SMPS
● Comutação dura e circuito de alta velocidade
● Ferramentas elétricas
● UPS
● Controle do motor
Vds | Rds (on) Typ. | EU IA |
98V | 4.6mΩ | 120a |