brána
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Nacházíte se zde: Domov » Produkty » » MOSFET » 12V-300V n mos » 110a 60V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DH065N06D TO-252B

načítání

Sdílet na:
Tlačítko sdílení Facebooku
tlačítko sdílení Twitteru
Tlačítko sdílení linky
Tlačítko sdílení WeChat
tlačítko sdílení LinkedIn
Tlačítko sdílení Pinterestu
tlačítko sdílení WhatsApp
Tlačítko sdílení Sharethis

110a 60V režim vylepšení n-kanálu Power MOSFET DH065N06D TO-252B

110a 60V režim vylepšení n-kanálu Power MOSFET
Dostupnost:
Množství:

110a 60V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET


1 Popis


Tyto režim vylepšení N-kanálů Power MOSFETS používal pokročilý trenční technologický design, poskytoval vynikající RDSON a nízký náboj brány. Který v souladu se standardem ROHS. 


2 funkce

● nízký odpor

● Nízký náboj brány

● Rychlé přepínání 

● nízký reverzní přenos kapacity 

● 100% test na lavinu s jedním pulsem 

● Test 100% ΔVDS


3 aplikace

● Aplikace pro přepínání napájení

● Systém správy střídače 

● Elektrické nástroje 

● Automobilová elektronika


VDSS RDS (on) (typ) Id Balík
60V 5 MΩ 110a TO-252B


Předchozí: 
Další: 
  • Zaregistrujte se do našeho zpravodaje
  • Připravte se na budoucnost
    Zaregistrujte se do našeho zpravodaje a získejte aktualizace přímo do vaší doručené pošty