110A 60V N-channel โหมดเพิ่มประสิทธิภาพ MOSFET DH065N06D TO-252B

110A 60V N-channel โหมดเพิ่มประสิทธิภาพ MOSFET พลังงาน

1 คำอธิบาย

มอสเฟตกำลังโหมดการเพิ่มประสิทธิภาพโหมด N-channel เหล่านี้ใช้การออกแบบเทคโนโลยีร่องลึกขั้นสูง ซึ่งให้ Rdson ที่ยอดเยี่ยมและการชาร์จเกตต่ำ ซึ่งสอดคล้องกับมาตรฐาน RoHS 

2 คุณสมบัติ

● ความต้านทานต่ำ

● ค่าเกตต่ำ

● การสลับอย่างรวดเร็ว 

● ความจุการถ่ายโอนแบบย้อนกลับต่ำ 

● การทดสอบพลังงานหิมะถล่มพัลส์เดี่ยว 100% 

● การทดสอบ ΔVDS 100%

3 การใช้งาน

● แอปพลิเคชันการเปลี่ยนพลังงาน

● ระบบการจัดการอินเวอร์เตอร์ 

● เครื่องมือไฟฟ้า 

● อุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์สำหรับยานยนต์

วีดีเอสเอส	RDS (บน) (ประเภท)	บัตรประจำตัวประชาชน	บรรจุุภัณฑ์
60V	5 เมกะโอห์ม	110เอ	TO-252B