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110A 60V N-Kanalverbesserungsmodus MOSFET DH065N06D TO-252B

110A 60V N-Kanalverbesserungsmodus MOSFET-
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110A 60V N-Kanalverbesserungsmodus Power MOSFET


1 Beschreibung


Diese N-Channel-Verbesserungsmodus-MOSFETs verwendeten fortschrittliche Gräbertechnologiedesign und bildeten eine hervorragende RDSON- und niedrige Gate-Ladung. Das entspricht dem ROHS -Standard. 


2 Merkmale

● Niedrig des Widerstands

● Ladung mit niedriger Gate

● schnelles Umschalten 

● Niedrige Umkehrtransferkapazität 

● 100% Einzelpuls -Avalanche -Energietest 

● 100% ΔVDS -Test


3 Anwendungen

● Stromschaltanwendungen

● Inverter -Management -System 

● Elektrische Werkzeuge 

● Automobilelektronik


VDSS RDS (ON) (Typ) AUSWEIS Paket
60 V 5 Mω 110a To-252b


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