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110 A 60 V N-Kanal-Anreicherungsmodus-Leistungs-MOSFET DH065N06D TO-252B

110 A 60 V N-Kanal-Anreicherungsmodus-Leistungs-MOSFET
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110 A 60 V N-Kanal-Anreicherungsmodus-Leistungs-MOSFET


1 Beschreibung


Diese Leistungs-MOSFETs im N-Kanal-Anreicherungsmodus nutzten ein fortschrittliches Trench-Technologie-Design und sorgten für einen hervorragenden Rdson und eine niedrige Gate-Ladung. Was dem RoHS-Standard entspricht. 


2 Funktionen

● Geringer Widerstand

● Niedrige Gate-Ladung

● Schnelles Umschalten 

● Geringe Rückübertragungskapazitäten 

● 100 % Einzelimpuls-Lawinenenergietest 

● 100 % ΔVDS-Test


3 Anwendungen

● Leistungsschaltanwendungen

● Wechselrichter-Managementsystem 

● Elektrowerkzeuge 

● Automobilelektronik


VDSS RDS(ein)(TYP) AUSWEIS Paket
60V 5 mΩ 110A TO-252B


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