未命名(1)(8) (1)
porta
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Ju jeni këtu: Shtëpi » Produktet » MOSFET » 12V-300V N MOS
Modeli:
Paketa:
V:
A:
LINJA E PRODUKTIT E ZGJEDHUR:

12V-300V N MOS

i imazhit Modeli Paketa V A Detajet e fletës së të dhënave Kërkim Shtoni në shportë
85A 80V N-kanal i përmirësimit Modaliteti i fuqisë MOSFET DH075N08 TO-220C DH075N08 TO-220C 80 V 95A Donghai_DH075N08&DH075N08E_Datasheet_V2.0.pdf
100V/1,5mΩ/240A N-MOSFET DSC018N10N TO-247 DSC018N10N TO-247 100 V 240 A Donghai_DSC018N10N_Fletë e të dhënave_V1.0.pdf
170A 40V N-kanal i përmirësimit Modaliteti i fuqisë MOSFET DHS020N04P DFN5*6 DHS020N04P DFN5*6-8 40 V 170 A Specifikimi i pajisjes DHS020N04P Rev.2.0.pdf
80A 40V N-kanal i përmirësimit MOSFET me fuqi MOSFET DH065N04D TO-252B DH065N04D TO-252B 40 V 80 A Specifikimi i pajisjes DH065N04.pdf
175A 80V N-kanal i përmirësimit Modaliteti i fuqisë MOSFET DHS035N88 TO-220C DHS035N88 TO-220C 80 V 175A Donghai_DHS035N88&DHS035N88E&DHS035N88I_DataSheet_V2.0.pdf
240A 85V N-kanal i përmirësimit Modaliteti i fuqisë MOSFET DHS020N88U Paketa TOLL DHS020N88U TOLL 85 V 285A Donghai_DHS020N88U_Sheet_V2.0.pdf
MOSFET me fuqi 12A 60 V të modalitetit të përmirësimit të kanaleve N D12N06 TO-252 D12N06 TO-252B 60 V 12A Specifikimi i pajisjes D12N06(TO-252B).pdf
205A 85V N-kanal i përmirësimit Modaliteti i fuqisë MOSFET DHS025N88 TO-263 DHS025N88E TO-263 85 V 205A Specifikimi i pajisjes DHS025N88.pdf
20A 100V N-kanal i përmirësimit Modaliteti i fuqisë MOSFET DHS400N10D TO-252B DHS400N10D TO-252B 100 V 20 A Donghai_DHS400N10D_Fletë e të dhënave_V2.0 .pdf
170A 30V N-kanal i përmirësimit Modaliteti i fuqisë MOSFET DHS010N03P DFN5X6 DHS010N03P
Modaliteti i përmirësimit të kanaleve N 120A 98 V Fuqia MOSFET DHS046N10D TO-252B DHS046N10D TO-252B 98 V 120A Specifikimi i pajisjes DHS046N10.pdf
220A 40V N-kanal i përmirësimit Modaliteti i fuqisë MOSFET DTG025N04NA TO-220C DTG025N04NA TO-220C 40 V 220A Specifikimi i pajisjes DTE025N04NA&DTG025N04NA Rev.1.0.pdf
MOSFET me fuqi 100A 100 V të modalitetit të përmirësimit të kanaleve N DHS065N10 TO-220C 100 V 95A Device+DHS065N10+Specification+Rev.2.0.pdf
110A 60V N-kanal i përmirësimit Modaliteti i fuqisë MOSFET DH065N06D TO-252B DH065N06D TO-252B 60 V 110A Donghai_DH065N06D_Fletë e të dhënave_V2.0.pdf
155A 40V N-kanal i përmirësimit Modaliteti i fuqisë MOSFET DH035N04 TO-220C DH035N04 TO-220C 40 V 155A Specifikimi i pajisjes DH035N04.pdf
Modaliteti i përmirësimit me kanal N Fuqia MOSFET 120A 85V DHS045N88D TO-252B DHS045N88 TO-220C 85 V 120A Specifikimi i pajisjes DHS045N88-Rev.1.0.pdf
Modaliteti i përmirësimit të kanaleve N Fuqia MOSFET 110A 100V DHS052N10E TO-263 DHS052N10E TO-263 100 V 110A Specifikimi i pajisjes DHS052N10.pdf
Modaliteti i përmirësimit të kanaleve N Fuqia MOSFET 110A 100V DHS052N10F TO-220F DHS052N10F TO-220F 100 V 110A Specifikimi i pajisjes DHS052N10.pdf
Modaliteti i përmirësimit me kanal N Fuqia MOSFET 120A 85V DHS045N88E TO-263 DHS045N88E TO-263 85 V 120A Specifikimi i pajisjes DHS045N88-Rev.1.0.pdf
Modaliteti i përmirësimit të kanaleve N Fuqia MOSFET 68A 100V DH140N10F TO-220F DH140N10F TO-220F 100 V 68A Donghai_DH140N10B&DH140N10D_Sheet_V1.0.pdf

Video e produktit

  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Regjistrohu për buletinin tonë
  • bëhuni gati për e ardhshëm në buletinin tonë për të marrë përditësime direkt në kutinë tuaj hyrëse
    regjistrimin
    Paraqisni
E drejta e autorit © 2023Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd Teknologjia nga leadong.com