未命名(1)(8) (1)
porta
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Ju jeni këtu: Shtëpi » Produktet » MOSFET » 12V-300V N MOS
Modeli:
Paketa:
V:
A:
LINJA E PRODUKTIT E ZGJEDHUR:

12V-300V N MOS

i imazhit Modeli Paketa V A Detajet e fletës së të dhënave Kërkim Shtoni në shportë
140A 40V N-kanal i përmirësimit Modaliteti i fuqisë MOSFET DHP035N04 DFN5X6-8L DHP035N04 DFN5x6-8L 40 V 140 A Specifikimi i pajisjes DHP035N04.pdf
310A 20V N-kanal i përmirësimit Modaliteti i fuqisë MOSFET DH009N02 TO-220C DH009N02 TO-220C 20 V 310A Specifikimi i pajisjes DH009N02.pdf
47A 100V N-kanal i përmirësimit Modaliteti i fuqisë MOSFET DH135N10P DFN5X6 DH135N10P DFN5X6 100 V 47A Specifikimi i pajisjes DH135N10P.pdf
25A 100V 100V N-kanal i përmirësimit Modaliteti i fuqisë MOSFET 25N10 TO-220C DH025N03 TO-220C 30 V 150 A Specifikimi i pajisjes DH025N03.pdf
40A 30V N-kanal i përmirësimit Modaliteti i fuqisë MOSFET DHD80N03 TO-252B DHD80N03 TO-252B 30 V 40 A Donghai_DHD80N03_Datasheet_V3.0.pdf
120A 30V N-kanal i përmirësimit Modaliteti i fuqisë MOSFET DH025N03P DFN5*6 DH025N03P DFN5X6 30 V 120A Specifikimi i pajisjes DH025N03P(1)(1).pdf
60A 30V 30V N-kanal i përmirësimit Modaliteti i fuqisë MOSFET DH081N03D TO-252B DH081N03D TO-252B 30 V 60 A Specifikimi i pajisjes DH081N03.pdf
50A 120V N-kanal i përmirësimit Modaliteti i fuqisë MOSFET DH150N12D TO-252B DH150N12D TO-252B 120 V 50 A Specifikimi i pajisjes DH150N12.pdf
20A 100V N-kanal i përmirësimit Modaliteti i fuqisë MOSFET DHS400N10D TO-252B DHS400N10D TO-252B 100 V 20 A Donghai_DHS400N10D_Fletë e të dhënave_V2.0 .pdf
170A 30V N-kanal i përmirësimit Modaliteti i fuqisë MOSFET DHS010N03P DFN5X6 DHS010N03P
120A 98V N-kanal i përmirësimit Modaliteti i fuqisë MOSFET DHS046N10D TO-252B DHS046N10D TO-252B 98 V 120A Specifikimi i pajisjes DHS046N10.pdf
100A 85V N-kanal i përmirësimit Modaliteti i fuqisë MOSFET DH85N08 TO-220C DH85N08 TO-220C 85 V 100A Specifikimi i pajisjes DH85N08.pdf
Modaliteti i përmirësimit të kanaleve N 220A 40 V Fuqia MOSFET DTG025N04NA TO-220C DTG025N04NA TO-220C 40 V 220A Specifikimi i pajisjes DTE025N04NA&DTG025N04NA Rev.1.0.pdf
49A MOSFET i fuqisë së modalitetit të përmirësimit të kanalit N 80 V DH116N08D TO-252B 80 V 49A Specifikimi i pajisjes DH116N08.pdf
MOSFET me fuqi 100A 100 V të modalitetit të përmirësimit të kanaleve N DHS065N10 TO-220C 100 V 95A Device+DHS065N10+Specification+Rev.2.0.pdf
Modaliteti i përmirësimit të kanaleve N 110A 60 V me fuqi MOSFET DH065N06D TO-252B DH065N06D TO-252B 60 V 110A Donghai_DH065N06D_Fletë e të dhënave_V2.0.pdf
155A 40V N-kanal i përmirësimit Modaliteti i fuqisë MOSFET DH035N04 TO-220C DH035N04 TO-220C 40 V 155A Specifikimi i pajisjes DH035N04.pdf
170A 40V N-kanal i përmirësimit Modaliteti i fuqisë MOSFET DHS020N04P DFN5*6 DHS020N04P DFN5*6-8 40 V 170 A Specifikimi i pajisjes DHS020N04P Rev.2.0.pdf
175A 80V N-kanal i përmirësimit Modaliteti i fuqisë MOSFET DHS035N88 TO-220C DHS035N88 TO-220C 80 V 175A Donghai_DHS035N88&DHS035N88E&DHS035N88I_DataSheet_V2.0.pdf
240A 85V N-kanal i përmirësimit Modaliteti i fuqisë MOSFET DHS020N88U Paketa TOLL DHS020N88U TOLL 85 V 285A Donghai_DHS020N88U_Sheet_V2.0.pdf

Video e produktit

  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Regjistrohu për buletinin tonë
  • bëhuni gati për e ardhshëm në buletinin tonë për të marrë përditësime direkt në kutinë tuaj hyrëse
    regjistrimin
    Paraqisni
E drejta e autorit © 2023Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd Teknologjia nga leadong.com