未命名(1)(8) (1)
brama
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Jesteś tutaj: Dom » Produkty » MOSFET » 12V-300V N MOS
Model:
Pakiet:
V:
A:
WYBRANE LINIE PRODUKTOWE:

12 V-300 V N-MOS

Obraz Model Pakiet V A Karta katalogowa Szczegóły Zapytanie Dodaj do koszyka
85A 80V N-kanałowy tryb wzmocnienia Moc MOSFET DH075N08 TO-220C DH075N08 TO-220C 80 V 95A Donghai_DH075N08&DH075N08E_Arkusz danych_V2.0.pdf
100 V/1,5 mΩ/240 A N-MOSFET DSC018N10N TO-247 DSC018N10N TO-247 100 V 240A Donghai_DSC018N10N_Datasheet_V1.0.pdf
170A 40V N-kanałowy tryb wzmocnienia Moc MOSFET DHS020N04P DFN5*6 DHS020N04P DFN5*6-8 40 V 170A Specyfikacja urządzenia DHS020N04P Rev.2.0.pdf
80A 40V N-kanałowy tryb wzmocnienia Moc MOSFET DH065N04D TO-252B DH065N04D TO-252B 40 V 80A Specyfikacja urządzenia DH065N04.pdf
175A 80V N-kanałowy tryb wzmocnienia Moc MOSFET DHS035N88 TO-220C DHS035N88 TO-220C 80 V 175A Donghai_DHS035N88&DHS035N88E&DHS035N88I_DataSheet_V2.0.pdf
240A 85V N-kanałowy tr DHS020N88U MYTO 85 V 285A Donghai_DHS020N88U_Datasheet_V2.0.pdf
12A 60V N-kanałowy tryb wzmocnienia Moc MOSFET D12N06 TO-252 D12N06 TO-252B 60 V 12A Specyfikacja urządzenia D12N06 (TO-252B).pdf
205A 85V N-kanałowy tryb wzmocnienia Moc MOSFET DHS025N88 TO-263 DHS025N88E TO-263 85 V 205A Specyfikacja urządzenia DHS025N88.pdf
20A 100V N-kanałowy tryb wzmocnienia Moc MOSFET DHS400N10D TO-252B DHS400N10D TO-252B 100 V 20A Donghai_DHS400N10D_Datasheet_V2.0 .pdf
170 A, 30 V, tryb wzmocnienia kanału N, moc MOSFET DHS010N03P DFN5X6 DHS010N03P
120A 98V N-kanałowy tryb wzmocnienia Moc MOSFET DHS046N10D TO-252B DHS046N10D TO-252B 98 V 120A Specyfikacja urządzenia DHS046N10.pdf
220A 40V N-kanałowy tryb wzmocnienia Moc MOSFET DTG025N04NA TO-220C DTG025N04NA TO-220C 40 V 220A Urządzenie DTE025N04NA i DTG025N04NA Specyfikacja Rev.1.0.pdf
100A 100V N-kanałowy tryb wzmocnienia MOSFET mocy DHS065N10 TO-220C 100 V 95A Urządzenie+DHS065N10+Specyfikacja+Rev.2.0.pdf
110A 60V N-kanałowy tryb wzmocnienia Moc MOSFET DH065N06D TO-252B DH065N06D TO-252B 60 V 110A Donghai_DH065N06D_Datasheet_V2.0.pdf
155A 40V N-kanałowy tryb wzmocnienia Moc MOSFET DH035N04 TO-220C DH035N04 TO-220C 40 V 155A Specyfikacja urządzenia DH035N04.pdf
Tryb wzmocnienia kanału N Moc MOSFET 120A 85V DHS045N88D TO-252B DHS045N88 TO-220C 85 V 120A Specyfikacja urządzenia DHS045N88-Rev.1.0.pdf
Tryb wzmocnienia kanału N Moc MOSFET 110A 100V DHS052N10E TO-263 DHS052N10E TO-263 100 V 110A Specyfikacja urządzenia DHS052N10.pdf
Tryb wzmocnienia kanału N Moc MOSFET 110A 100V DHS052N10F TO-220F DHS052N10F TO-220F 100 V 110A Specyfikacja urządzenia DHS052N10.pdf
Tryb wzmocnienia kanału N Moc MOSFET 120A 85V DHS045N88E TO-263 DHS045N88E TO-263 85 V 120A Specyfikacja urządzenia DHS045N88-Rev.1.0.pdf
Tryb wzmocnienia kanału N Moc MOSFET 68A 100V DH140N10F TO-220F DH140N10F TO-220F 100 V 68A Donghai_DH140N10B i DH140N10D_Arkusz danych_V1.0.pdf

Film o produkcie

  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Zapisz się na nasz newsletter
  • przygotuj się na przyszłość
    zapisz się do naszego newslettera, aby otrzymywać aktualizacje prosto na swoją skrzynkę odbiorczą
    Składać
Prawa autorskie © 2023​​​​​​​ Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd Technologia firmy leadong.com