brama
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Jesteś tutaj: Dom » Produkty » MOSFET » 12V-300V N MOS
Model:
Pakiet:
V:
A:
WYBRANE LINIE PRODUKTOWE:

12 V-300 V N-MOS

Obraz Model Pakiet V A Karta katalogowa Szczegóły Zapytanie Dodaj do koszyka
130A 100V N-kanałowy MOSFET mocy w trybie wzmocnienia DHS037N10/ DHS037N10F/DHS037N10E
 Tryb wzmocnienia kanału N Moc MOSFET 68A 100V DH140N10D TO-252B 100 V 68A Donghai_DH140N10B i DH140N10D_Arkusz danych_V1.0.pdf
80A 85V N-kanałowy tryb wzmocnienia Moc MOSFET DHS065N85P DFN5*6-8 DHS065N85P DFN5*6-8 85 V 80A Specyfikacja urządzenia DHS065N85P.pdf
120V/25mΩ/36A N-MOSFET DSG270N12N3 TO-220C DSG270N12N3 TO-220C 120 V 36A Donghai_DSG270N12N3&DSE270N12N3_Arkusz danych_V1.0.pdf
 Tryb wzmocnienia kanału N Moc MOSFET 18A 200V F640 TO-220F F640 TO-220F 200 V 18A Specyfikacja urządzenia 640.pdf
150 V/9,5 mΩ/52 A N-MOSFET DHS110N15F TO-220F DHS110N15F TO-220F 150 V 52A Donghai+DHS110N15F+arkusz danych+V1.0.pdf
 Tryb wzmocnienia kanału N Moc MOSFET 80A 85V DHS065N85 TO-220C DHS065N85 TO-220C 85 V 100A Specyfikacja urządzenia DHS065N85.pdf
30 V/2,2 mΩ/150 A N-MOSFET DTG023N03L TO-220C DTG023N03L TO-220C 30 V 150A Donghai_DTG023N03L_Datasheet_V1.0.pdf
 Tryb wzmocnienia kanału N Moc MOSFET 110A 100V DHS052N10E TO-263 DHS052N10E TO-263 100 V 110A Specyfikacja urządzenia DHS052N10.pdf
Tryb wzmocnienia kanału N Moc MOSFET 120A 85V DHS045N88D TO-252B DHS045N88 TO-220C 85 V 120A Specyfikacja urządzenia DHS045N88-Rev.1.0.pdf
 Tryb wzmocnienia kanału N Moc MOSFET 110A 100V DHS052N10F TO-220F DHS052N10F TO-220F 100 V 110A Specyfikacja urządzenia DHS052N10.pdf
Tryb wzmocnienia kanału N Moc MOSFET 120A 85V DHS045N88E TO-263 DHS045N88E TO-263 85 V 120A Specyfikacja urządzenia DHS045N88-Rev.1.0.pdf
 Tryb wzmocnienia kanału N Moc MOSFET 68A 100V DH140N10F TO-220F DH140N10F TO-220F 100 V 68A Donghai_DH140N10B i DH140N10D_Arkusz danych_V1.0.pdf
Tryb wzmocnienia kanału N Moc MOSFET 180A 80V DHE8004 TO-263 DHE8004 TO-263 80 V 180A Specyfikacja urządzenia DH8004 (2).pdf
 Tryb wzmocnienia kanału N Moc MOSFET 110A 100V DHS052N10D TO-252B DHS052N10D TO-252B 100 V 110A Specyfikacja urządzenia DHS052N10.pdf
MOSFET mocy w trybie N-kanałowym 18N20/F18N20/I18N20/E18N20/B18N20/D18N20
140A 85V N-kanałowy MOSFET mocy w trybie wzmocnienia DHS043N85/DHS043N85F/DHS043N85E/DHS043N85B/DHS043N85D
120A 40V N-kanałowy tryb wzmocnienia Moc MOSFET DTG045N04NA TO-220C DTG045N04NA TO-220C 40 V 120A Urządzenie+DTG045N04NA i DTE043N04NA+Specyfikacja+Rev.1.0.pdf
70A 60V N-kanałowy tryb wzmocnienia Moc MOSFET DATP057N06N DFN5*6 DATP057N06N DFN5*6 60 V 70A Donghai_DATP057N06N_Datasheet_V1.0.pdf
60A 40V N-kanałowy tryb wzmocnienia Moc MOSFET DH065N04P DFN5X6 DH065N04P DFN5X6 40 V 60A Specyfikacja urządzenia DH065N04P.pdf

Film o produkcie

  • Zapisz się na nasz newsletter
  • przygotuj się na przyszłość
    zapisz się do naszego newslettera, aby otrzymywać aktualizacje prosto na swoją skrzynkę odbiorczą