brama
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Jesteś tutaj: Dom » Produkty » MOSFET » 400V-1500V N MOS
Model:
Pakiet:
V:
A:
WYBRANE LINIE PRODUKTOWE:

400 V-1500 V N-MOS

Obraz Model Pakiet V A Karta katalogowa Szczegóły Zapytanie Dodaj do koszyka
13N50AH1/F13N50AH1/I13N50AH1/E13N50AH1
18N50/F18N50/18N50D
5A 500 V N-kanałowy tryb wzmocnienia Moc MOSFET MOSFET D5N50 TO-252B D5N50 TO-252B 500 V 5A Specyfikacja urządzenia D5N50 i B5N50.pdf
2A 600 V tryb wzmocnienia kanału N Moc MOSFET F2N60 TO-220F F2N60 TO-220F 600 V 2A
5A 500 V N-kanałowy tryb wzmocnienia Moc MOSFET B5N50 TO-251B B5N50 TO-251B 500 V 5A Specyfikacja urządzenia D5N50 i B5N50.pdf
18A 500V N-kanałowy tryb wzmocnienia Moc MOSFET 18N50 TO-220C 18N50 TO-220C 500 V 18A 英文版18N50技术规格书.pdf
4A 650 V N-kanałowy tryb wzmocnienia Moc MOSFET D4N65 TO-252B D4N65 TO-252B 650 V 4A 英文版D4N65技术规格书REV1.0.pdf
0,8 A 600 V tryb wzmocnienia kanału N Moc MOSFET B1N60 TO-251 B1N60 TO-251B 600 V 0,8A
8A 500 V N-kanałowy tryb wzmocnienia Moc MOSFET B8N50 TO-251 B8N50 TO-251 500 V 8A
10A 400V N-kanałowy tryb wzmocnienia Moc MOSFET F740 TO-220F F740 TO-220F 400 V 10A Specyfikacja urządzenia 740.pdf
7N65/F7N65/B7N65/D7N65
20N60/F20N60/20N60D
18A 500V N-kanałowy tryb wzmocnienia Moc MOSFET 18N50D TO-3PN 18N50D TO-3PN 500 V 18A 英文版18N50D技术规格书.pdf
Tranzystor bipolarny z izolowaną bramką 18A 650 V DHG20T65D TO-220F DHG20T65D TO-220F 650 V 18A Specyfikacja urządzenia DHG20T65D (TO-220F).pdf
2N65/F2N65/B2N65/D2N65
20A 500V N-kanałowy tryb wzmocnienia Moc MOSFET 20N50B TO-247 20N50B TO-247 500 V 20A Specyfikacja urządzenia 20N50(1).pdf
4N65/F4N65/B4N65/D4N65
12N60/F12N60/E12N60
14A 650V N-kanałowy tryb wzmocnienia Moc MOSFET 14N65 TO-220C 14N65 TO-220C 650 V 14A 英文版14N65技术规格书AY3(1).pdf
10A 650V N-kanałowy tryb wzmocnienia Moc MOSFET F10N65 TO-220F F10N65 TO-220F 650 V 10A 英文版F10N65技术规格书REV1.0.pdf

Film o produkcie

  • Zapisz się na nasz newsletter
  • przygotuj się na przyszłość
    zapisz się do naszego newslettera, aby otrzymywać aktualizacje prosto na swoją skrzynkę odbiorczą