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400V-1500VNMOS

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4.8A 650V canal N Super Junction Power MOSFET DHFSJ5N65 TO-220F DHFSJ5N65 TO-220F 650 V 4,8A DHFSJ5N65_Datesheet_V1.0.pdf
12A 650V Modo de aprimoramento de canal N MOSFET 12N65 TO-220C 12N65 PARA-220C 650 V 12A 英文版12N65技术规格书.pdf
MOSFET de potência de super junção de canal N 12A 700V DJF360N70
85A 150V Modo de aprimoramento de canal N MOSFET DHS110N15D TO-252B DHS110N15D PARA-252B 150 V 85A Especificação do dispositivo DHS110N15D.pdf
40A 100V Modo de aprimoramento de canal P MOSFET DH100P40 TO-220C DH100P40 PARA-220C 100 V 40A Especificação do dispositivo DH100P40.pdf
11A 650V canal N Super Junction Power MOSFET DHSJ11N65 TO-220C DHSJ11N65 PARA-220C 650 V 11A Especificação(S) do dispositivo DHSJ11N65.pdf
-10A -40V Modo de aprimoramento de canal P Power MOSFET DH170P04V SOP-8 DH170P04V POP-8 -40V -10A Dispositivo+DH170P04V+Especificação.pdf
4A 600V Modo de aprimoramento de canal N MOSFET F4N60 TO-220F F4N60 TO-220F 600 V 4A 英文版F4N60技术规格书.pdf
42A 600V canal N Super Junction Power MOSFET DJC070N60F TO-247 DJC070N60F PARA-247 600 V 42A Especificação do dispositivo DJC070N60F.pdf
13A 650V canal N Super Junction Power MOSFET DHSJ13N65 TO-220C DHSJ13N65 PARA-220C 650 V 13A Especificação do dispositivo DHSJ13N65.pdf
50A 650V Trenchstop isolou o transistor bipolar G50T65D TO-3PN da porta G50T65D TO-3PN 650 V 50A G50T65D 技术规格书.pdf
MOSFET de potência de super junção de canal N 31A 600V DJC099N60F/DJF099N60F
150A 150V Modo de aprimoramento de canal N MOSFET DHS042N15E TO-263 DHS042N15E PARA-263 150 V 150A DHS042N15&DHS042N15E_Datasheet_V2.0 (1).pdf
5A 800V Modo de aprimoramento de canal N MOSFET F5N80 TO-220F F5N80 TO-220F 800V 5A 英文版F5N80技术规格书.pdf
 D7N60 TO-252B D7N60 PARA-252B 600 V 7A 英文版D7N60技术规格书.pdf
40A 1200V canal N SiC Power MOSFET DCC075M120G2C TO-247-3 DCC075M120G2C PARA-247 1200 V 40A Especificação do dispositivo DCC075M120G2C.pdf
F6N90 TO-220F F6N90 TO-220F 900 V 6A 英文版F6N90技术规格书.pdf
60A 60V Modo de aprimoramento de canal N MOSFET DHD015N06 TO-252B DHD015N06 PARA-252B 60V 60A Especificação do dispositivo DHD015N06(低开启电压50N06).pdf
7A 650V Modo de aprimoramento de canal N MOSFET DHD7N65 TO-252B DHD7N65 PARA-252B 650 V 7A 英文版DHD7N65技术规格书REV1.1.pdf
20A 500V Modo de aprimoramento de canal N MOSFET F20N50 F20N50 TO-220F 500 V 20A 英文版F20N50技术规格书REV1.1.pdf

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