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400V-1500VNMOS

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13N50AH1/F13N50AH1/I13N50AH1/E13N50AH1
18N50/F18N50/18N50D
5A 500V Modo de aprimoramento de canal N MOSFET MOSFET D5N50 TO-252B D5N50 PARA-252B 500 V 5A Especificação do dispositivo D5N50 e B5N50.pdf
2A 600V Modo de aprimoramento N-channe Potência MOSFET F2N60 TO-220F F2N60 TO-220F 600 V 2A
5A 500V Modo de aprimoramento de canal N MOSFET B5N50 TO-251B B5N50 TO-251B 500 V 5A Especificação do dispositivo D5N50 e B5N50.pdf
18A 500V Modo de aprimoramento de canal N MOSFET 18N50 TO-220C 18N50 TO-220C 500 V 18A 英文版18N50技术规格书.pdf
4A 650V Modo de aprimoramento de canal N MOSFET D4N65 TO-252B D4N65 PARA-252B 650 V 4A 英文版D4N65技术规格书REV1.0.pdf
0.8A 600V Modo de aprimoramento de canal N MOSFET B1N60 TO-251 B1N60 TO-251B 600 V 0,8A
8A 500V Modo de aprimoramento de canal N MOSFET B8N50 TO-251 B8N50 PARA-251 500 V 8A
10A 400V Modo de aprimoramento de canal N MOSFET F740 TO-220F F740 TO-220F 400V 10A Especificação do dispositivo 740.pdf
7N65/F7N65/B7N65/D7N65
18A 500V Modo de aprimoramento de canal N MOSFET 18N50D TO-3PN 18N50D TO-3PN 500 V 18A 英文版18N50D技术规格书.pdf
20N60/F20N60/20N60D
18A 650V transistor bipolar de porta isolada DHG20T65D TO-220F DHG20T65D TO-220F 650 V 18A Especificação do dispositivo DHG20T65D (TO-220F).pdf
2N65/F2N65/B2N65/D2N65
20A 500V Modo de aprimoramento de canal N MOSFET 20N50B TO-247 20N50B PARA-247 500 V 20A Especificação do dispositivo 20N50(1).pdf
4N65/F4N65/B4N65/D4N65
12N60/F12N60/E12N60
14A 650V Modo de aprimoramento de canal N MOSFET 14N65 TO-220C 14N65 TO-220C 650 V 14A 英文版14N65技术规格书AY3(1).pdf
10A 650V Modo de aprimoramento de canal N MOSFET F10N65 TO-220F F10N65 TO-220F 650 V 10A 英文版F10N65技术规格书REV1.0.pdf

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