2A 600V Modo de aprimoramento N-channe Potência MOSFET F2N60 TO-220F

2A 600V Modo de aprimoramento de canal N MOSFET de potência

1 Descrição

Esses VDMOSFETs aprimorados de canal N são obtidos pela tecnologia planar autoalinhada que reduz a perda de condução, melhora o desempenho de comutação e aumenta a energia da avalanche. O que está de acordo com o padrão RoHS. 

2 recursos 

● Troca rápida 

● Baixa resistência ON (Rdson≤4,5Ω) 

● Carga de porta baixa (Tip: 8nC) 

● Baixas capacitâncias de transferência reversa (Typ:3,8pF) 

● Teste de energia de avalanche de pulso único 100% 

● Teste ΔVDS 100%

3 aplicações

● usado em vários circuitos de comutação de energia para miniaturização do sistema e maior eficiência. 

● Circuito de alimentação do reator eletrônico e adaptador.

VDSS	RDS(ligado)(TYP)	EU IA
600 V	4,0Ω	2A