2A 600V N-Channe Modo de aprimoramento Power MOSFET F2N60 TO-220F

2A 600V N-Channe Modo de aprimoramento MOSFET

1 Descrição

Esses VDMOSFETs aprimorados de canal N são obtidos pela tecnologia plana auto-alinhada que reduz a perda de condução, melhora o desempenho da comutação e aprimora a energia da avalanche. Que de acordo com o padrão ROHS. 

2 recursos 

● Comutação rápida 

● Baixa resistência (RDSON≤4,5Ω) 

● Baixa carga do portão (Tip: 8NC) 

● Capacitâncias de transferência reversa baixa (Tip: 3,8pf) 

● Teste de energia de avalanche de pulso 100% único 

● Teste 100% ΔVDS

3 aplicações

● Utilizado em vários circuitos de comutação de energia para miniaturização do sistema e maior eficiência. 

● Circuito de troca de energia do reator de elétrons e adaptador.