2A 600V N-channe Modalità di miglioramento Potenza MOSFET F2N60 TO-220F

2A 600v N-channe Modalità di miglioramento Mosfet di potenza

1 Descrizione

Questi VDMOSFET migliorati a canale N, sono ottenuti dalla tecnologia planare autoallineata che riduce la perdita di conduzione, migliorano le prestazioni di commutazione e migliorano l'energia delle valanghe. Che accorda con lo standard ROHS. 

2 caratteristiche 

● commutazione rapida 

● Resistenza bassa (RDSON≤4,5Ω) 

● CARICA GATE basso (tip: 8NC) 

● Capacità di trasferimento inverse basse (tip: 3.8pf) 

● Test di energia a valanga a impulsi singolo 100% 

● Test al 100% ΔVDS

3 applicazioni

● Utilizzato in vari circuiti di commutazione di alimentazione per miniaturizzazione del sistema e maggiore efficienza. 

● Circuito dell'interruttore di alimentazione di mazzastra e adattatore elettronico.