2A 600V N-Kanne-Verbesserungsmodus Power MOSFET F2N60 TO-220F

2A 600V N-Channe Enhancement Modus Power MOSFET

1 Beschreibung

Diese N-Channel-verstärkten VDMOSFETs werden von der selbst ausgerichteten planaren Technologie erhalten, die den Leitungsverlust verringert, die Schaltleistung verbessert und die Lawinenenergie verbessert. Das entspricht dem ROHS -Standard. 

2 Merkmale 

● schnelles Umschalten 

● Niedrig des Widerstands (RDSON ≤ 4,5 Ω) 

● Ladung mit niedriger Gate (Typ: 8NC) 

● Niedrige Umkehrtransferkapazität (Typ: 3.8PF) 

● 100% Einzelpuls -Avalanche -Energietest 

● 100% ΔVDS -Test

3 Anwendungen

● Wird in verschiedenen Stromschaltkreis für die Systemminiaturisierung und höhere Effizienz verwendet. 

● Stromschalterkreis von Elektronenballast und Adapter.