2A 600V N-Kanal-Verstärkungsmodus-Leistungs-MOSFET F2N60 TO-220F

2A 600V N-Kanal-Leistungs-MOSFET mit Anreicherungsmodus

1 Beschreibung

Diese N-Kanal-Enhanced-VDMOSFETs werden durch die selbstausrichtende Planartechnologie erreicht, die den Leitungsverlust reduziert, die Schaltleistung verbessert und die Lawinenenergie erhöht. Was dem RoHS-Standard entspricht. 

2 Funktionen 

● Schnelles Umschalten 

● Niedriger EIN-Widerstand (Rdson ≤ 4,5 Ω) 

● Niedrige Gate-Ladung (Typ: 8 nC) 

● Geringe Rückübertragungskapazitäten (typisch: 3,8 pF) 

● 100 % Einzelimpuls-Lawinenenergietest 

● 100 % ΔVDS-Test

3 Anwendungen

● Wird in verschiedenen Leistungsschaltkreisen zur Systemminiaturisierung und höheren Effizienz verwendet. 

● Leistungsschaltkreis des elektronischen Vorschaltgeräts und des Adapters.

VDSS	RDS(ein)（TYP)	AUSWEIS
600V	4,0 Ω	2A