2A 600V N-channe Chế độ tăng cường nguồn MOSFET F2N60 TO-220F

2A 600V N-channe Chế độ tăng cường MOSFET nguồn

1 Mô tả

Các VDMOSFET nâng cao kênh N này có được nhờ công nghệ phẳng tự căn chỉnh giúp giảm tổn thất dẫn điện, cải thiện hiệu suất chuyển mạch và tăng cường năng lượng tuyết lở. Phù hợp với tiêu chuẩn RoHS. 

2 tính năng 

● Chuyển đổi nhanh 

● Điện trở BẬT thấp (Rdson<4,5Ω) 

● Phí cổng thấp (Loại: 8nC) 

● Điện dung truyền ngược thấp (Loại: 3,8pF) 

● Kiểm tra năng lượng tuyết lở xung đơn 100% 

● Kiểm tra 100% ΔVDS

3 ứng dụng

● được sử dụng trong các mạch chuyển mạch nguồn khác nhau để thu nhỏ hệ thống và đạt hiệu quả cao hơn. 

● Mạch chuyển đổi nguồn của chấn lưu điện tử và bộ chuyển đổi.

VDSS	RDS(bật)（TYP)	NHẬN DẠNG
600V	4,0Ω	2A